01
存储器概述
存储器分类（RAM/ROM）、层级结构、在系统中的角色
基础体系
02
SRAM基础
6T单元结构、读写原理、时序参数概览
SRAM单元
03
DRAM基础
1T1C单元、刷新机制、DRAM vs SRAM
DRAM刷新
04
ROM与Flash
掩膜ROM、PROM、EPROM、EEPROM、NAND/NOR Flash
非易失Flash
05
时序分析基础
建立时间、保持时间、时钟偏斜、时钟抖动
时序约束
06
读时序参数详解
tRC、tAA、tOE、tOH 读周期与访问时间
读操作参数
07
写时序参数详解
tWC、tWP、tAS、tDS 写脉冲与建立时间
写操作时序
08
地址与控制信号时序
片选CS、地址窗口、WE/OE/RE时序关系
控制地址
09
数据总线时序
数据输出延迟tD、输入建立、总线竞争与三态
数据三态
10
时钟同步时序
同步SRAM、SDRAM基础、时钟与数据对齐
同步时钟
11
异步SRAM时序分析
异步读/写时序、握手协议
异步SRAM
12
同步SRAM时序分析
流水线结构、同步读/写时序
同步流水线
13
SDRAM时序基础
命令集ACT/READ/WRITE/PRECHARGE、CL/tRCD/tRP
SDRAM命令
14
SDRAM读操作时序
读命令、CAS延迟CL、数据输出、突发传输
读突发
15
SDRAM写操作时序
写命令、写恢复tWR、数据掩码DQM
写DQM
16
DDR SDRAM时序
双倍速率、DDR读/写时序、tDQSS/tDSS/tDSH
DDR双倍
17
DDR2/DDR3/DDR4演进
各代时序对比、预取技术、ODT时序影响
演进ODT
18
Flash读时序
NOR Flash读、NAND Flash读、页读取与随机读取
Flash读
19
Flash写/擦除时序
NOR/NAND编程、块擦除、写状态检查
编程擦除
20
时序约束与计算
建立/保持时间裕量、最大频率计算
约束计算
21
时序仿真与验证
STA基础、仿真工具、波形分析技巧
仿真STA
22
信号完整性对时序的影响
反射、串扰、电源噪声、去耦电容策略
SI噪声
23
PCB布局布线对时序的影响
走线长度匹配、阻抗控制、时钟树设计
PCB布局
24
温度与电压对时序的影响
PVT变化、时序降额Derating
PVT降额
25
多端口存储器时序
双端口SRAM、冲突仲裁、读写同时访问
多端口仲裁
26
FIFO存储器时序
同步/异步FIFO、空/满标志时序
FIFO标志
27
存储器接口协议
SPI Flash、I2C EEPROM、并行接口时序
协议SPI
28
高速存储器设计挑战
信号反射、端接、片内端接OCT、均衡
高速端接
29
存储器测试与调试
MBIST、ATE测试、时序故障调试
测试MBIST
30
实战案例
FPGA SRAM控制器、DDR3初始化、Flash驱动调试
实战FPGA