从零看懂光刻机系统架构 · 课程目录

光刻机是什么核心

芯片制造核心地位 · 投影式光刻原理 · 接触/接近/投影/步进/扫描式分类

光刻机的历史演进里程碑

接触式→EUV · ASML TWINSCAN · 各代技术参数对比

核心系统概览总览

照明·投影物镜·工件台·对准·掩模台·环境控制·整机控制

光源系统（上）光源类型

汞灯·准分子激光·LPP · 波长与分辨率 · 功率稳定性

光源系统（下） DUV & EUV

KrF 248nm · ArF 193nm · 13.5nm LPP · 频谱纯化与带宽控制

照明系统均匀性·模式

照明均匀性校正 · 传统/环形/四极/自由照明 · 光瞳整形 · 变焦变倍

投影物镜系统（上） NA·浸没

数值孔径NA · 放大倍率·视场·焦深 · 折射/反射式 · 浸没式光刻

投影物镜系统（下）像差·EUV

波前检测 · 镜片材料与镀膜 · EUV布拉格反射镜 · 主动温控形变补偿

工件台系统磁悬浮

加速度·速度·精度 · 平面电机与磁悬浮 · 粗动微动 · 六自由度控制

工件台测量系统干涉·光栅

激光干涉仪与光栅尺 · 多轴布局 · 实时反馈闭环 · 振动抑制

掩模台系统对准·温控

结构与运动控制 · 夹持形变 · 温控洁净 · 对准标记识别

对准系统多波长

光栅/干涉对准 · 多波长技术 · 对准标记设计 · 套刻精度

调焦与调平系统焦面跟踪

气动/光学传感器 · 实时焦面跟踪 · 多点调平倾斜 · 焦深工艺窗口

环境控制系统 mK级

温度·压力·湿度 · AMC化学污染 · 颗粒控制与洁净度

整机控制系统分布式

分布式架构 · EtherCAT/光纤 · 主从协同 · 调度任务管理

光刻机的软件系统调度·日志

系统软件架构 · 调度算法 · 数据采集 · 远程诊断维护

光刻工艺参数 CD控制

曝光剂量·聚焦 · 工艺窗口PW · 焦深DOF与分辨率R权衡 · 关键尺寸CD

光刻胶与显影化学放大

正胶/负胶 · 化学放大机制 · 显影工艺 · 厚度均匀性控制

掩模版技术 OPC·PSM

结构与材料 · 光学邻近效应修正OPC · 相移掩模PSM · 制造检测

套刻精度 Overlay

定义与测量 · 误差来源 · 校正补偿 · 提升方法

光刻机的产能 WPH

晶圆每小时产出 · 扫描速度·加速·对准 · 产能与精度权衡

维护与故障诊断 FTA

日常维护 · 常见故障 · 故障树分析 · 预防性维护策略

浸没式光刻技术高折射率

原理与优势 · 浸没液体 · 气泡控制 · 与EUV对比

多重图形技术 LELE·SADP

LELE · SADP · SAQP · 多重图形对光刻机要求

EUV光刻技术 13.5nm

光源挑战 · 真空洁净 · 反射式光学 · 光刻胶挑战

整机集成与测试验收标准

系统集成流程 · 模块/整机测试 · 性能验证 · 验收标准

未来发展趋势 High-NA

High-NA EUV · LPP vs LDP · 智能化自动化 · DTCO

光刻机产业链国产现状

ASML·Nikon·Canon · 关键零部件 · 国产光刻机发展

与芯片制造工艺协同 FinFET·GAA

FinFET应用 · GAA挑战 · 3D堆叠先进封装

实操与模拟 PROLITH

光刻仿真 · 操作面板 · 虚拟曝光实验 · 结果分析与优化