📘 光刻胶·双雄
KrF vs ArF
⚡ 30章 · 从入门到选型
1
01
光刻技术概述
从g-line到EUV演进，KrF与ArF在先进制程中的定位与分工
2
02
光刻胶基础
组成（树脂、PAG、溶剂、添加剂），正胶与负胶区别
3
03
KrF光刻胶特性
248nm光化学原理，PHS树脂，0.35μm-0.13μm节点
4
04
ArF光刻胶特性
193nm光化学原理，丙烯酸酯树脂，90nm-7nm节点
5
05
关键参数对比
分辨率、灵敏度、对比度、抗刻蚀性、LWR · KrF vs ArF
6
06
曝光光源差异
KrF vs ArF准分子激光器，波长对光刻胶性能影响机制
7
07
光刻胶膜厚控制
旋涂参数（转速/加速度/时间），膜厚均匀性要求差异
8
08
软烘工艺
温度、时间对光刻胶性能影响，KrF与ArF软烘条件差异
9
09
曝光工艺
曝光剂量、DOF、掩模对准，KrF与ArF曝光窗口差异
10
10
曝光后烘烤 (PEB)
PEB温度/时间对光酸扩散影响，KrF vs ArF工艺窗口
11
11
显影工艺
显影液浓度、时间、方式（浸没/喷雾），KrF与ArF差异
12
12
坚膜烘烤
坚膜温度对抗刻蚀性影响，KrF与ArF工艺差异
13
13
光刻胶去胶
湿法 vs 干法去胶，KrF与ArF去胶兼容性
14
14
抗反射涂层 (BARC/ARC)
底部/顶部ARC选型，KrF与ArF的ARC策略差异
15
15
浸没式光刻
ArF浸没式原理，水浸没影响，KrF不适用原因
16
16
存储与寿命
存储条件（温/湿度/避光），KrF与ArF保质期差异
17
17
涂布缺陷
气泡、条纹、颗粒污染，KrF与ArF常见缺陷及方案
18
18
线宽粗糙度 (LWR)
LWR形成机制，KrF与ArF控制策略差异
19
19
灵敏度与产率
高灵敏度光刻胶优缺点，KrF vs ArF对产率影响
20
20
抗刻蚀性
干法刻蚀光刻胶损耗，KrF与ArF对比与优化
21
21
粘附性
光刻胶与衬底粘附力，KrF与ArF差异及改善方法
22
22
过滤与纯化
颗粒过滤、金属离子控制，纯度要求差异
23
23
环保与安全
VOC排放、化学品处理，KrF与ArF环保特性对比
24
24
KrF光刻胶选型策略
0.35μm-0.13μm节点、工艺要求、成本因素
25
25
ArF光刻胶选型策略
90nm-7nm节点、浸没式兼容性、工艺要求
26
26
供应商对比
JSR、TOK、信越化学、陶氏 · KrF与ArF产品线
27
27
工艺窗口评估
DOE设计、EL/DOF/MEF，KrF与ArF评估差异
28
28
失效分析
剥离、桥接、塌陷，KrF与ArF失效机制差异
29
29
替代与升级
KrF→ArF工艺迁移，混合光刻 (Mix-and-Match)
30
30
未来趋势
高NA EUV光刻胶、DSA、纳米压印光刻胶发展方向