01
失效分析概述
什么是芯片失效分析？失效分析的目的与意义，失效分析在芯片产业链中的位置。
基础概念
02
开盖技术基础
为什么要开盖？开盖的物理原理（化学腐蚀与机械研磨），开盖前的准备工作。
原理准备
03
开盖设备与工具
湿法开盖设备（酸槽、加热台），干法开盖设备（等离子去胶机），辅助工具（显微镜、探针台）。
设备工具
04
化学开盖工艺
发烟硝酸开盖法，硫酸/硝酸混合酸开盖法，开盖时间与温度控制，安全注意事项。
湿法安全
05
机械开盖工艺
研磨开盖法，激光开盖法，聚焦离子束（FIB）开盖，优缺点对比。
干法FIB
06
开盖后样品制备
清洗残留物，干燥处理，样品固定与封装，导电胶与金线键合。
制样键合
07
光学显微镜分析
明场与暗场成像，微分干涉差（DIC）观察，热点定位与拍照技巧。
OM成像
08
扫描电子显微镜（SEM）分析
SEM工作原理，二次电子与背散射电子成像，能谱分析（EDS）基础。
SEMEDS
09
聚焦离子束（FIB）技术
FIB切割原理，定点截面制备，透射电镜（TEM）样品制备。
FIBTEM
10
热点定位技术
液晶热点定位，红外热成像，光子发射显微镜（EMMI），激光束诱导电阻变化（OBIRCH）。
热定位EMMI
11
被动电压对比（PVC）分析
PVC原理，探针台操作，波形采集与对比，常见失效波形特征。
电性探针
12
主动电压对比（AVC）分析
AVC与PVC的区别，动态信号激励，时序分析基础。
动态时序
13
光发射显微镜（EMMI）分析
EMMI原理，漏电点定位，击穿点定位，InGaAs与Si CCD探测器选择。
EMMI漏电
14
激光束诱导电阻变化（OBIRCH）分析
OBIRCH原理，金属空洞检测，硅化物异常检测。
OBIRCH缺陷
15
热成像分析
红外热像仪原理，热点定位，热分布图解读，瞬态热分析。
热像瞬态
16
芯片去层技术
逐层去层（Delayering），湿法去层与干法去层，终点检测方法。
去层终点
17
芯片截面分析
机械研磨截面，FIB截面，离子束抛光（CP）截面，截面染色技术。
截面CP
18
失效模式与机理
电迁移（EM），热载流子注入（HCI），时间相关介质击穿（TDDB），应力迁移（SM）。
机理EM
19
静电放电（ESD）失效分析
ESD模型（HBM、CDM、MM），ESD保护结构，ESD失效特征。
ESD保护
20
闩锁效应（Latch-up）分析
闩锁效应原理，触发条件，I-V曲线测试，失效定位方法。
Latch-upI-V
21
焊点与封装失效分析
焊点疲劳，空洞检测，分层检测，声学扫描显微镜（SAM）应用。
封装SAM
22
PCB板级失效分析
PCB分层，焊盘脱落，通孔断裂，染色渗透实验。
PCB染色
23
存储器失效分析
存储单元失效，字线/位线失效，保持时间失效，冗余分析。
存储器冗余
24
模拟芯片失效分析
运放失效，比较器失效，基准源失效，电源管理芯片失效。
模拟运放
25
射频芯片失效分析
功率放大器失效，低噪声放大器失效，匹配网络失效，射频探针测试。
射频PA
26
失效分析报告撰写
报告结构，数据呈现，图片标注，结论与建议。
报告规范
27
失效分析案例实战（一）
ESD失效案例，从现象到根因的完整分析流程。
案例ESD
28
失效分析案例实战（二）
电迁移失效案例，SEM与FIB联合分析。
案例EM
29
失效分析案例实战（三）
闩锁效应案例，EMMI与OBIRCH联合定位。
案例Latch-up
30
失效分析实验室管理与安全
实验室布局，化学品管理，废弃物处理，个人防护装备（PPE）。
管理安全