01
显微镜基础与芯片样品制备
光学显微镜原理、明场与暗场成像、芯片去封装技术（化学开盖与机械研磨）、样品清洁与固定。
明场/暗场去封装清洁固定
02
芯片宏观结构辨识
芯片划片槽（Scribe Line）与切割道识别、管芯（Die）边界定位、芯片朝向与标记（Notch/Flat）解读。
划片槽Die边界Notch/Flat
03
芯片层级结构概览
衬底（Substrate）、外延层（Epitaxy）、介质层（ILD/IMD）、金属互连层（Metal Layer）的宏观区分。
衬底外延层ILD/IMD
04
钝化层与Pad层分析
顶层钝化层（Passivation）形貌、PAD（压焊点）开口尺寸测量、PAD金属材料（Al/Cu）的光学反射特征。
钝化层PAD开口Al/Cu
05
顶层金属互连观察
顶层厚金属（Thick Metal）走线识别、电源/地线网络（Power/Ground Mesh）分布、宽线与窄线区分。
厚金属电源/地线宽窄线
06
芯片核心区域定位
逻辑核心区（Logic Core）、SRAM/DRAM存储阵列区、模拟/IP区块（Analog/IP Block）的宏观分区。
Logic CoreSRAM/DRAM模拟IP
07
I/O与ESD结构解析
I/O Pad环（I/O Ring）布局、ESD保护结构（GGNMOS/SCR）的光学特征、电源钳位（Power Clamp）单元识别。
I/O RingGGNMOSPower Clamp
08
标准单元库（Standard Cell）观察
标准单元行（Row）与电源轨（VDD/VSS Rail）的周期性结构、单元高度测量、多阈值单元形貌差异。
标准单元VDD/VSSHVT/LVT
09
存储单元阵列分析
SRAM Bitcell（6T/8T）重复图案、DRAM电容（Cylinder/Stack）光学轮廓、冗余行/列标记。
6T/8TDRAM电容冗余标记
10
模拟电路结构识别
差分对（Differential Pair）对称布局、电流镜（Current Mirror）匹配结构、电阻/电容阵列几何特征。
差分对电流镜电阻/电容阵列
11
时钟与复位网络
时钟树（Clock Tree）H型/网格型分布、全局时钟缓冲器位置、复位信号（Reset）走线特征。
时钟树全局缓冲复位走线
12
电源分配网络（PDN）分析
顶层电源网格密度、去耦电容（Decap）分布、IR Drop薄弱点的光学判断。
电源网格去耦电容IR Drop
13
工艺节点特征判断
最小线宽（Critical Dimension）测量、接触孔/通孔密度、金属间距与工艺节点（28nm/14nm）关联。
CD测量接触孔金属间距
14
多层金属互连解构
层间介质（ILD）厚度差异、通孔排列方式（Staggered/In-line）、金属层堆叠顺序（M1-Mtop）追踪。
ILD厚度通孔排列M1-Mtop
15
特殊结构识别
熔丝（Fuse）与反熔丝（Antifuse）、金属桥接与跳线、多晶硅电阻与扩散电阻。
熔丝金属桥接多晶硅电阻
16
缺陷与异常分析
划伤（Scratch）与颗粒污染形貌、金属腐蚀（Corrosion）特征、层间剥离（Delamination）光学表现。
划伤腐蚀层间剥离
17
芯片版本与修改识别
金属层修改（Metal ECO）跳线/补丁痕迹、光罩修订版标记、工程变更订单（ECO）物理证据。
Metal ECO光罩修订ECO证据
18
反向工程基础
芯片面积估算（Die Size Calculation）、晶体管密度估算、功能模块边界手动勾勒。
Die Size晶体管密度模块勾勒
19
图像采集与拼接
显微镜图像分辨率设置、Z轴堆叠（Z-stack）与景深合成、多视场拼接（Stitching）软件操作。
Z-stack景深合成多视场拼接
20
图像测量与标注
像素标尺校准、长度/角度测量工具使用、图层叠加（Overlay）与对比分析。
像素标尺测量工具图层叠加
21
芯片去层（Delayering）技术
湿法腐蚀选择性去除介质层、干法刻蚀终点检测、逐层剥离流程控制。
湿法腐蚀干法刻蚀逐层剥离
22
染色与选择性刻蚀
硅衬底染色显示掺杂区、金属层选择性刻蚀（Al刻蚀Cu保留）、层间介质染色（BPSG染色）。
Junction Stain选择性刻蚀BPSG染色
23
截面分析（Cross-section）
机械研磨截面制备、离子束抛光（IBP）截面、光学显微镜下截面层序解读。
机械研磨离子束抛光截面层序
24
热点（Hot Spot）定位与追踪
失效分析热点定位（EMMI/OBIRCH）、光学显微镜下热点标记、逐层追踪至物理缺陷。
EMMI/OBIRCH热点标记物理缺陷
25
工艺偏差检测
关键尺寸（CD）均匀性测量、膜厚均匀性评估、套刻精度（Overlay）光学判断。
CD均匀性膜厚评估套刻精度
26
芯片ID与追溯码读取
金属层/介质层芯片ID图案、追溯码OCR识别、二维码（Data Matrix）光学读取。
Die IDOCR识别Data Matrix
27
多芯片模组（MCM）与3D封装
硅中介层TSV观察、微凸点（Micro-bump）阵列、芯片堆叠（Die Stacking）侧视轮廓。
TSV微凸点Die Stacking
28
MEMS与传感器芯片
悬臂梁与膜片结构、深反应离子刻蚀（DRIE）深槽、可动结构释放孔（Release Hole）。
悬臂梁DRIE释放孔
29
功率器件与化合物半导体
垂直功率MOSFET终端结构、GaN HEMT栅极场板、SiC SBD肖特基势垒区。
功率MOSFETGaN HEMTSiC SBD
30
综合案例实战
从芯片开盖到功能模块标注完整流程、报告撰写规范、常见陷阱与经验总结。
开盖到标注报告规范经验总结