01
芯片失效分析概述
什么是芯片失效分析、失效分析的目的与意义、失效分析的基本流程。
基础概论
02
开盖技术详解
化学开盖（发烟硝酸/硫酸法）、机械开盖、激光开盖、等离子开盖的优缺点对比。
工艺对比
03
光学显微镜初步观察
明场与暗场观察、微分干涉差（DIC）观察、如何识别表面划伤、裂纹、金属迁移。
显微缺陷
04
扫描电子显微镜（SEM）应用
SEM成像原理简述、二次电子像与背散射电子像的区别、能谱分析（EDS）点扫与面扫。
SEMEDS
05
聚焦离子束（FIB）切割与观察
FIB工作原理、定点切割制样、FIB-SEM联用观察截面形貌。
FIB截面
06
热点定位技术（上）
液晶热点检测（Liquid Crystal Hot Spot Detection）原理与操作步骤。
热点液晶
07
热点定位技术（下）
红外热成像（IR Thermography）、光子发射显微镜（EMMI/PEM）原理与案例。
红外EMMI
08
激光束电阻异常检测（OBIRCH）
OBIRCH原理、恒压与恒流模式、如何定位短路与漏电路径。
OBIRCH漏电
09
被动电压对比（PVC）与主动电压对比（AVC）
基本原理、探针台操作、波形对比分析。
探针波形
10
微探针台技术
机械探针与钨探针的使用、Pad与Via的扎针技巧、信号完整性考量。
探针台信号
11
芯片去层（Delayering）技术
逐层研磨、湿法腐蚀去层、反应离子刻蚀（RIE）去层。
去层刻蚀
12
染色与缺陷显现
硝酸染色法、热染色法、PN结染色原理与操作。
染色PN结
13
芯片结构识别
标准单元（Standard Cell）识别、SRAM阵列识别、模拟IP模块识别。
版图IP
14
金属化系统故障分析
电迁移（EM）失效、应力迁移（SM）失效、腐蚀失效的形貌特征。
金属EM
15
栅氧化层击穿分析
时间相关介质击穿（TDDB）、静电放电（ESD）损伤、天线效应损伤。
栅氧TDDB
16
PN结漏电分析
结尖峰（Spike）、位错（Dislocation）、颗粒污染导致的漏电。
漏电缺陷
17
闩锁效应（Latch-up）定位
触发机制、红外热像仪定位、FIB截面验证。
闩锁热像
18
静电放电（ESD）失效分析
HBM/CDM模型、ESD保护结构识别、失效点定位技巧。
ESD保护
19
封装相关失效分析
焊线断裂、分层（Delamination）、空洞（Void）的X-Ray与超声扫描（SAM）。
封装X-Ray
20
印刷电路板（PCB）级协同分析
PCB走线短路/断路、焊点失效、与芯片内部失效的关联判断。
PCB协同
21
软件辅助分析工具
CAD导航（CAD Navigation）、版图与显微图像叠加（Overlay）、Net追踪。
软件CAD
22
失效分析报告撰写
报告结构（背景、分析过程、数据、结论）、图片标注规范、结论逻辑链。
报告规范
23
案例实战一：电源芯片短路失效
从开盖到定位的全流程演示。
实战电源
24
案例实战二：MCU芯片功能异常
利用EMMI定位内部漏电路径。
实战MCU
25
案例实战三：射频芯片增益下降
通过OBIRCH发现电阻异常增大。
实战射频
26
案例实战四：存储芯片数据保持失败
FIB切割观察浮栅电荷泄露。
实战存储
27
案例实战五：汽车级芯片高温失效
热染色与SEM联合分析。
实战汽车
28
案例实战六：FPGA芯片IO口损坏
PVC对比与微探针验证。
实战FPGA
29
案例实战七：MEMS传感器失效
X-Ray与SEM联合分析可动结构。
实战MEMS
30
课程总结与进阶路径
常用仪器清单、推荐书籍与文献、行业认证介绍。
总结进阶