01
信号完整性概述
什么是SI？深亚微米/纳米工艺下SI问题日益突出；反射、串扰、电源噪声三大类及其影响。
反射串扰电源噪声
02
传输线基础
RLCG参数、特性阻抗、传播延迟、反射系数与终端匹配基本概念。
特性阻抗匹配
03
反射机理与抑制
反射根源（阻抗不连续）、多次反射与振铃、源端串联/末端并联匹配工程实践。
振铃端接
04
串扰机理与抑制
容性/感性耦合、NEXT与FEXT、3W原则与屏蔽层设计。
3W屏蔽
05
电源分配网络(PDN)设计
目标阻抗、去耦电容选型与布局、电源/地平面谐振、SSN抑制。
PDN去耦
06
片上互连的SI优化
全局互连RC延迟优化、中继器插入、屏蔽线与差分信号应用。
中继器差分
07
时钟网络的SI设计
时钟偏斜与抖动、时钟树综合SI考量、抗时钟抖动电路技术。
时钟树抖动
08
I/O接口的SI设计
单端/差分I/O SI特性、ODT技术、IBIS模型在SI仿真中的应用。
ODTIBIS
09
同步开关输出(SSO)噪声
SSO产生机理、同时翻转数量影响、降低SSO的布局布线策略。
SSO同步开关
10
封装与PCB的SI协同设计
封装寄生参数、BGA/FC SI挑战、芯片-封装-PCB协同仿真流程。
协同仿真BGA
11
SI仿真方法论
SPICE仿真、S参数提取与建模、时域反射计(TDR)仿真与测量。
S参数TDR
12
工艺角与统计性SI分析
工艺角(FF/SS/TT)影响、蒙特卡洛分析在SI评估中的应用。
工艺角蒙特卡洛
13
低功耗设计中的SI挑战
电压降(IR Drop)影响、多电压域电平转换与SI。
IR Drop多电压域
14
高速串行链路设计
预加重与均衡、CDR原理、眼图分析与抖动容限。
均衡眼图
15
DDR存储器接口的SI优化
DDR3/4/5 SI要求、写均衡与读均衡、Vref噪声影响。
DDRVref
16
片上ESD保护对SI的影响
ESD器件寄生电容、ESD网络对高速信号影响、低电容ESD设计。
ESD低电容
17
工艺波动对SI的影响
CD波动、金属厚度/介电常数变化对传输线特性的影响。
工艺波动CD
18
温度效应对SI的影响
温度对电阻率影响、热噪声、温度梯度下信号延迟变化。
热噪声温度梯度
19
电磁干扰(EMI)与信号完整性
EMI产生机制、SI与EMI权衡、屏蔽与滤波技术。
EMI屏蔽
20
片上电感与互感建模
螺旋电感模型、互感对信号耦合影响、去耦技术。
电感互感
21
硅通孔(TSV)与3D IC的SI挑战
TSV寄生参数、3D堆叠热-机械应力影响、TSV与微凸点建模。
TSV3D IC
22
片上波导与光互连
硅基光互连简介、片上波导SI特性、电光转换影响。
光互连波导
23
自适应SI补偿技术
自适应均衡器、自适应预加重、基于训练的SI优化算法。
自适应均衡
24
SI设计规则检查(DRC)
基于SI的DRC规则（间距、平行长度、层叠）、SI DRC工具使用。
DRC规则
25
SI与功耗完整性(PI)的协同优化
IR Drop与信号延迟关系、DVFS下SI变化。
PIDVFS
26
片上测试结构用于SI表征
环形振荡器、测试传输线、内建自测试(BIST)电路。
BIST测试
27
先进工艺节点下的SI新挑战
FinFET寄生效应、EUV光刻影响、2nm及以下SI趋势。
FinFETEUV
28
机器学习在SI优化中的应用
基于ML的传输线建模、SI故障预测、自动化布局布线SI优化。
ML预测
29
SI设计流程与EDA工具
主流EDA工具 (Sigrity、HFSS、HSPICE) 的SI分析流程。
EDASigrity
30
综合案例：28nm DDR4接口SI优化
1Gbps DDR4接口从问题定义、仿真分析到设计收敛全流程实战。
实战DDR4