第1章
光刻技术概论
核心地位 · 基本流程 · 发展简史与未来趋势
基础全景
第2章
光刻机系统详解
光源 · 照明 · 投影物镜 · 工件台与对准
设备核心
第3章
光刻胶化学与物理
组成 · 正胶/负胶 · 对比度/灵敏度/分辨率
材料关键参数
第4章
旋涂工艺
旋涂原理 · 转速/加速度/时间 · 膜厚均匀性 · 边缘珠状缺陷
涂胶均匀性
第5章
软烘工艺
目的与机理 · 热板/烘箱 · 温度时间影响 · 残留溶剂控制
烘烤溶剂
第6章
对准与曝光
对准标记 · 全局/场点对准 · 剂量与聚焦 · 曝光宽容度
曝光对准
第7章
曝光后烘烤 (PEB)
作用机理 · 酸扩散控制 · 温度对线宽影响 · 延迟效应
PEB化学放大
第8章
显影工艺
TMAH显影液 · 溶解速率 · 浸没/喷雾式 · 终点检测
显影TMAH
第9章
坚膜烘烤
坚膜目的 · 交联致密化 · 温度对轮廓影响 · 热回流
坚膜轮廓
第10章
光刻胶去除
湿法去胶 · 干法灰化 · 残留物清洗
去胶清洗
第11章
分辨率增强技术
OPC · 相移掩模 · 离轴照明 · 浸没式光刻
RET分辨率
第12章
掩模版制造
材料 · 制造流程 · 检测与修复
掩模光刻
第13章
抗反射涂层
BARC/TARC · 机理 · 驻波效应抑制
ARC驻波
第14章
线宽粗糙度 (LWR/LER)
定义与测量 · 分子量分布 · 工艺参数影响 · 降低方法
粗糙度LWR
第15章
光刻工艺窗口
DOF/EL · Bossung曲线 · 优化策略 · Cpk与良率
工艺窗口良率
第16章
光刻缺陷
分类 · 来源分析 · 检测技术 · 复检分类
缺陷检测
第17章
CD-SEM测量
工作原理 · 测量参数 · 精度重复性 · 图像分析
CD-SEM计量
第18章
套刻精度
套刻误差定义 · Box-in-Box测量 · APC/R2R校正
套刻对准
第19章
光刻胶显影模型
Mack模型 · 显影速率模拟 · PROLITH/Dr.LiTHO
模拟模型
第20章
EUV光刻技术
LPP/DPP光源 · 反射式掩模 · 光刻胶挑战 · 真空环境
EUV先进
第21章
纳米压印光刻 (NIL)
NIL原理 · 热压/紫外压印 · 模板制造 · 存储应用
NIL纳米压印
第22章
电子束光刻
原理 · PMMA/HSQ · 邻近效应校正 · 直写应用
电子束直写
第23章
光刻工艺集成
光刻与刻蚀协同 · 选择比 · 离子注入配合
集成刻蚀
第24章
光刻胶显影液管理
TMAH浓度/温度控制 · 寿命管理 · 废液处理
显影液管控
第25章
光刻工艺自动化
Recipe编写 · 物料搬运 · APC控制 · FDC系统
自动化APC
第26章
光刻工艺故障排除
驻波/底切/T型顶/桥接 · 排查方法论 · DOE设计
故障DOE
第27章
光刻洁净室规范
ISO等级 · 温湿度 · 颗粒控制 · 存储取用规范
洁净室规范
第28章
光刻工艺安全
化学品安全 · UV防护 · 电气安全 · 紧急响应
安全防护
第29章
先进光刻技术
多重图形化(LELE/SADP) · 定向自组装 · 计算光刻
多重图形DSA
第30章
光刻工艺的未来
High-NA EUV · 无掩模光刻 · 原子级精度 · 路线图
未来路线图