第1章
刻蚀工艺概述
刻蚀在半导体制造中的角色 · 物理轰击与化学反应 · 干法/湿法分类
基础原理
第2章
刻蚀设备认知
CCP/ICP/RIE机台 · 腔室结构 · 日常点检与维护
设备实操
第3章
刻蚀气体化学
CF₄/CHF₃/SF₆/Cl₂/BCl₃ · 流量与选择比 · 混合比例调优
气体化学
第4章
射频功率与偏压
Source Power vs 等离子体密度 · Bias Power控制离子能量 · 实战案例
射频偏压
第5章
腔室压力控制
平均自由程 · 压力与速率/均匀性 · 调优步骤与注意事项
压力均匀性
第6章
温度管理
电极温度 · 壁温控制 · 异常排查思路
热管理稳定性
第7章
刻蚀终点检测
OES原理 · 干涉法 · 参数设置与误判分析
检测OES
第8章
刻蚀速率与均匀性
关键因素 · 晶圆内/间均匀性 · DOE设计思路
速率DOE
第9章
选择比控制
掩膜/底层选择比 · 关键参数 · 高选择比工艺开发
选择比优化
第10章
刻蚀轮廓控制
各向异性 vs 横向刻蚀 · 侧壁钝化层 · Profile角度调优
轮廓侧壁
第11章
聚合物管理
副产物生成 · 工艺稳定性 · 腔室清洁与预涂
聚合物清洁
第12章
刻蚀损伤与缺陷
等离子体诱导损伤(PID) · 颗粒缺陷 · 残留物去除
缺陷PID
第13章
静电卡盘(ESC)与冷却
ESC原理 · 氦气背压 · 故障诊断与恢复
ESC冷却
第14章
刻蚀工艺窗口
窗口定义 · Bias Power vs Pressure · 扩展策略
窗口边界
第15章
DOE与统计过程控制
全因子/部分因子 · 响应曲面法 · SPC控制图
DOESPC
第16章
刻蚀模型与仿真
蒙特卡洛模拟 · 机器学习辅助 · CFD-ACE+心得
仿真模型
第17章
氧化物刻蚀
SiO₂机理 · HARC刻蚀 · 典型参数窗口
氧化物HARC
第18章
硅刻蚀
单晶/多晶硅 · Bosch工艺 · 负载效应与微沟槽
硅Bosch
第19章
金属刻蚀
铝/铜刻蚀差异 · 腐蚀问题 · 硬掩模优化
金属腐蚀
第20章
氮化硅刻蚀
选择比挑战 · STI/Spacer工艺 · 低损伤开发
SiN低损伤
第21章
低k介质刻蚀
SiOC/SiCOH特性 · 损伤机理 · 多孔低k挑战
低k介质
第22章
III-V族化合物刻蚀
GaAs/InP · Cl基/CH₄+H₂ · 侧壁损伤控制
III-V化合物
第23章
MEMS刻蚀
DRIE特殊要求 · 高深宽比调优 · Notching消除
MEMSDRIE
第24章
刻蚀工艺转移
研发到量产 · 机台匹配 · 常见问题对策
转移量产
第25章
先进节点刻蚀挑战
FinFET/GAA · EUV集成 · 原子层刻蚀(ALE)
先进ALE
第26章
刻蚀工艺故障排查
速率波动 · 颗粒根因 · 等离子体不稳定诊断
故障排查
第27章
刻蚀工艺安全
气体安全 · 射频防护 · 副产物处理排放
安全规范
第28章
刻蚀工艺文档与标准化
参数记录模板 · SOP编写 · 变更管理
文档SOP
第29章
刻蚀工艺前沿技术
原子层刻蚀(ALE)深度解析 · 脉冲等离子体 · 机器学习案例
前沿ALE
第30章
综合案例实战
完整工艺开发复盘 · 决策树构建 · 快速诊断清单
实战综合