晶圆制造全流程实战精讲
📚 共计 30 章节
01
晶圆制造概述
半导体产业简介 · 产业链位置 · 主流工艺节点
产业全景
入门
02
硅片制备
从沙子到单晶硅 · 切割抛光 · 质量检测
衬底
材料
03
晶圆厂洁净室
等级标准 · 气流温湿度 · 防静电微污染
环境
AMC
04
氧化工艺
热氧化原理 · 干氧/湿氧 · 厚度控制
热工艺
绝缘层
05
光刻工艺 (上)
光刻原理 · 光刻胶 · 涂胶软烘
图形化
关键尺寸
06
光刻工艺 (下)
对准曝光 · 显影坚膜 · 缺陷良率
分辨率
良率
07
刻蚀工艺
湿法/干法 · 等离子体 · 选择比形貌
各向异性
刻蚀
08
薄膜沉积
PVD/CVD · PECVD/ALD · 应力均匀性
沉积
台阶覆盖
09
离子注入
注入原理 · 剂量能量 · 退火激活
掺杂
杂质
10
扩散工艺
高温扩散 · 炉管操作 · 结深方块电阻
热扩散
掺杂
11
化学机械抛光
CMP原理 · 抛光液/垫 · 平坦化缺陷
平坦化
全局
12
金属互连
铝/铜互连 · 镶嵌工艺 · 电迁移可靠性
后端
BEOL
13
CMOS工艺流程
反相器 · N/P阱 · 栅极源漏形成
核心
逻辑
14
隔离技术
LOCOS/STI · 浅槽隔离 · 漏电控制
隔离
漏电
15
栅极工程
多晶硅栅 · 高k/金属栅 · 功函数阈值
栅极
HKMG
16
源漏工程
LDD结构 · 注入退火 · 硅化物接触
源漏
接触
17
接触孔与通孔
接触孔刻蚀 · 钨塞填充 · 电阻可靠性
接触
通孔
18
后段制程
层间介质 · 金属堆叠 · 钝化合金
BEOL
钝化
19
工艺整合挑战
热预算 · 应力工程 · 工艺窗口良率
整合
热预算
20
良率提升
良率定义 · 缺陷密度 · 提升方法论
良率
缺陷
21
在线检测技术
OCD · 膜厚测量 · 颗粒缺陷检测
量测
光学
22
电性测试
WAT参数 · MOSFET提取 · 电路测试
测试
WAT
23
失效分析
分析流程 · SEM/TEM · FIB探针台
FA
物性
24
工艺控制与SPC
统计过程控制 · 控制图 · FDC/APC
SPC
FDC
25
MES与自动化
制造执行系统 · 物料搬运 · EAP
自动化
MES
26
光罩与OPC
光罩制造 · OPC修正 · 亚分辨率图形
光罩
OPC
27
先进工艺节点
FinFET/GAA · EUV · 3D NAND封装
先进
EUV
28
特殊工艺
功率器件 · MEMS · CIS图像传感器
特色
功率
29
工艺仿真与TCAD
仿真工具 · 器件SPICE · 虚拟制造
TCAD
仿真
30
晶圆厂运营
产能调度 · 成本良率 · 质量体系认证
运营
管理