第1章
晶圆制造概述
半导体产业链全景 · 晶圆制造位置 · 6寸/8寸/12寸演进 · PIE职责与核心能力
产业链PIE尺寸演进
第2章
硅片制备与衬底技术
单晶硅生长(CZ/FZ) · 切割抛光 · 外延层 · SOI与化合物衬底
CZ法FZ法SOI
第3章
洁净室与厂务系统
ISO等级 · 气流与颗粒控制 · 超纯水UPW · 化学品供应与废液处理
洁净室UPW厂务
第4章
光刻工艺(一)
光刻原理 · 正胶/负胶 · 涂胶/曝光/显影 · Stepper/Scanner与分辨率
光刻胶Scanner分辨率
第5章
光刻工艺(二)
对准与套刻精度 · ADI检查 · CD测量 · 工艺窗口/DOF/EL优化
套刻CDDOF
第6章
刻蚀工艺
干法刻蚀(RIE/ICP) · 湿法刻蚀 · 选择比与形貌 · 终点检测 · 光刻胶去除
RIEICP灰化
第7章
薄膜沉积工艺(一)
PVD/溅射 · CVD/LPCVD/PECVD · 原子层沉积ALD原理与应用
PVDCVDALD
第8章
薄膜沉积工艺(二)
金属薄膜(Al/Cu/W) · 介质膜(SiO2/Si3N4) · 应力控制 · CMP平坦化
CMP应力介质膜
第9章
热工艺
RTP · 干氧/湿氧氧化 · 硼/磷/砷扩散 · 退火与缺陷修复
RTP氧化扩散
第10章
离子注入
注入原理与设备 · 剂量/能量控制 · 注入损伤与退火 · 沟道效应与倾斜注入
注入退火沟道效应
第11章
CMOS工艺流程(一)
反相器结构 · N阱/P阱 · STI隔离 · 栅氧化层与多晶硅栅极
CMOSSTI栅极
第12章
CMOS工艺流程(二)
LDD结构 · Spacer形成 · 源漏注入/退火 · Salicide工艺
LDDSpacerSalicide
第13章
接触孔与互连工艺
接触孔刻蚀/W-plug · ILD/IMD · 大马士革铜互连 · 低k介质与RC优化
W-plug低k铜互连
第14章
先进栅极工艺
HKMG技术 · 功函数金属 · Gate-last vs Gate-first
HKMG功函数Gate-last
第15章
应变硅技术
单轴/双轴应变 · eSiGe · SMT应力记忆 · 载流子迁移率提升
eSiGeSMT迁移率
第16章
SOI与FinFET技术
SOI优势 · PD/FD器件 · FinFET结构/工艺挑战 · 寄生效应优化
SOIFinFET寄生
第17章
GAA与3D集成技术
GAA纳米片/纳米线 · 3D NAND堆叠 · 3D IC与TSV简介
GAA3D NANDTSV
第18章
工艺整合与设计规则
DRM解读 · 光刻层与掩模版 · 工艺窗口协同 · OPC/RET技术
DRMOPCRET
第19章
良率提升与缺陷控制
随机/系统缺陷 · 光学/电子束检测 · 良率模型 · 失效分析FA流程
缺陷FA帕累托
第20章
关键工艺参数监控(CP/CPK)
Cp/Cpk概念 · SPC在线监控 · 量测设备 · FDC与APC闭环
Cp/CpkSPCFDC
第21章
器件电性测试
WAT测试结构 · Vt/Idsat/Ioff/Rs · 器件匹配/失配 · 测试与工艺关联
WATVt匹配
第22章
存储器工艺(一)
DRAM 1T1C · 电容工艺(堆叠/沟槽) · 整合流程与关键挑战
DRAM1T1C电容
第23章
存储器工艺(二)
NAND浮栅 · 3D NAND阶梯/字线 · NOR Flash · MRAM/RRAM简介
NAND3DMRAM
第24章
功率器件工艺
VDMOS/Planar · IGBT · SiC/GaN宽禁带 · 终端技术
IGBTSiCGaN
第25章
模拟与混合信号工艺
BJT/Resistor/Capacitor/Inductor · 模拟vs数字工艺 · 高压与隔离
模拟高压隔离
第26章
MEMS与传感器工艺
体硅/表面硅 · 微结构释放 · 压阻/电容式传感器 · MEMS+CMOS集成
MEMS传感器集成
第27章
光电器件工艺
LED外延/芯片 · 激光器LD · 光电探测器PD/APD · 硅光集成
LEDLD硅光
第28章
先进封装与测试
WLCSP/FOWLP · 2.5D/3D封装 · CP测试/FT · KGD筛选
WLCSP2.5DKGD
第29章
工艺整合案例分析
28nm/14nm/7nm逻辑整合 · 存储器整合 · 量产爬坡经验
28nm7nm量产
第30章
未来技术趋势
EUV/High-NA EUV · BSPDN · 量子计算芯片 · DTCO协同优化
EUVBSPDNDTCO