第1章
晶圆制造概述
半导体产业链 · 晶圆位置 · 光刻/刻蚀/薄膜/离子注入/CMP简介
基础全景
第2章
安全准入与洁净室规范
洁净室等级 · MSDS · 紧急停机 · LOTO程序
安全必知
第3章
光刻设备 (Track+Scanner) 操作
涂胶显影流程 · 对准与曝光参数 · Overlay初检
光刻核心
第4章
刻蚀设备 (Dielectric Etch) 操作
腔室压力/气体 · EPD信号 · 刻蚀速率与均匀性
刻蚀工艺
第5章
薄膜沉积设备 (PECVD) 操作
温度/射频功率 · 厚度/折射率 · 颗粒预防与清洁
薄膜PECVD
第6章
离子注入设备操作
束流电流/剂量 · 注入角度 · 沟道效应 · 残留检查
注入掺杂
第7章
化学机械抛光 (CMP) 操作
抛光垫修整 · 压力/转速 · 终点检测 · 过抛控制
平坦化CMP
第8章
湿法清洗设备操作
SC-1/SC-2配比 · 兆声波优化 · IPA/旋转干燥
湿法清洗
第9章
量测设备 (CD-SEM) 操作
CD测量 · LWR分析 · 自动定位 · Recipe创建
量测CD-SEM
第10章
量测设备 (薄膜量测) 操作
椭圆偏振仪 · n/k拟合 · 多层膜厚测量
薄膜椭偏
第11章
量测设备 (缺陷检测) 操作
明场/暗场 · 缺陷坐标 · Review SEM · 缺陷密度
缺陷检测
第12章
光刻胶涂布与显影工艺实战
厚度/粘度 · 软烘硬烘 · 显影不足/过显影
光刻胶实战
第13章
光刻对准与曝光工艺实战
对准标记 · 逐场/全局对准 · Focus-Exposure矩阵
对准曝光
第14章
等离子体刻蚀工艺实战
CF4/CHF3/Ar配比 · 聚合物沉积 · 负载效应补偿
刻蚀等离子体
第15章
薄膜沉积工艺实战
台阶覆盖 · 应力调控 · PECVD vs HDP-CVD
沉积工艺
第16章
离子注入工艺实战
注入损伤 · 退火激活 · 热波测量 · 阈值电压影响
注入损伤
第17章
CMP平坦化工艺实战
铜CMP碟形凹陷/侵蚀 · 阻挡层选择比 · 后清洗
CMP平坦化
第18章
湿法腐蚀工艺实战
BOE腐蚀速率 · 各向异性湿法腐蚀(TMAH/KOH) · 终点控制
湿法腐蚀
第19章
设备故障排查与报警处理
报警代码解析 · 传感器异常 · 手动复位与安全恢复
故障报警
第20章
工艺Recipe的创建与管理
Recipe结构 · 版本控制 · 导入导出与备份
Recipe管理
第21章
工艺参数监控 (SPC) 与数据分析
CPP选取 · Xbar-R Chart · CPK与工艺能力
SPC统计
第22章
缺陷复判与分类 (ADC)
自动缺陷分类 · SEM图像识别 · 根源分析思路
ADC缺陷
第23章
设备日常维护与保养
每日点检 · 定期更换部件 · 预防性维护PM
维护保养
第24章
设备端晶圆传送与自动化 (AMHS)
FOUP/FOSB · OHT路径 · EFEM校准
自动化AMHS
第25章
虚拟仿真操作 (模拟器) 入门
模拟器布局 · 模拟运行Recipe · 差异点分析
仿真模拟
第26章
良率提升与缺陷控制
良率模型 · 关键缺陷筛选 · DOE实验设计
良率DOE
第27章
先进工艺控制 (APC) 基础
前馈/反馈控制 · R2R控制 · 虚拟量测VM
APC控制
第28章
设备通讯协议 (SECS/GEM) 入门
SECS-I/II · GEM状态机 · Stream/Function解析
通讯SECS
第29章
EHS与应急响应实战
化学品泄漏 · 气体泄漏(SiH4/PH3) · 火灾报警
EHS应急
第30章
综合实战考核
全流程操作 · 异常处置 · 操作报告撰写与交接
考核综合