01
晶圆代工概述
什么是Foundry · IDM与Fabless对比 · 全球主要代工厂 · 产业链全景
台积电三星中芯
02
晶圆制造基础
从沙子到晶圆 · 尺寸演进(6/8/12寸) · 洁净室等级与布局
硅提纯拉晶抛光
03
光刻工艺详解
光刻原理 · DUV/EUV · 光刻胶与掩模版 · 对准与套刻精度
EUV套刻分辨率
04
薄膜沉积技术
CVD · PVD · ALD · 外延生长
PECVD溅射原子层
05
刻蚀工艺
干法/湿法刻蚀 · 选择比与各向异性 · 终点检测 · CD控制
RIEICP关键尺寸
06
掺杂工艺
离子注入 · 热扩散 · 退火 · 阱与源漏形成
注入结深RTA
07
平坦化与清洗
CMP · 工艺参数 · RCA清洗 · 颗粒控制
抛光SC1/SC2缺陷
08
工艺整合与良率
PIE角色 · 良率定义 · 系统性与随机性损失 · 提升方法论
良率PIEDOE
09
光罩与掩模版
制造流程 · 检测修复 · OPC · 数据管理
掩模OPCMDP
10
晶圆厂运营管理
MPS · 派工规则(FIFO/EDD) · 产能规划 · OEE
排程OEE产能
11
自动化物料搬运(AMHS)
OHT/AGV · 天车系统 · Stocker · FOUP管理
OHT天车自动化
12
制造执行系统(MES)
工单/批次/追溯 · EAP集成 · RTD · RMS
MESEAP实时派工
13
统计过程控制(SPC)
控制图(X-bar/R/P) · Cp/Cpk · OCAP异常处理
SPCCpkOCAP
14
良率管理与缺陷分析
KLA/AMAT检测 · 缺陷分类 · 良率模型 · 爬坡曲线
缺陷良率模型KLA
15
工艺控制与量测
膜厚/CD/套刻量测 · 校准 · 取样策略 · 数据管理
量测OCD校准
16
设备维护与故障处理
PM/PdM · FMEA · MTBF/MTTR
FMEAMTBF预测维护
17
供应链管理
原材料采购 · 供应商管理 · JIT/VMI · 物流仓储
硅片气体化学品
18
客户服务与技术支持
CE角色 · PDK · DRC · 客户沟通流程
PDKDRC客户工程
19
成本核算与定价
晶圆成本构成 · 分摊方法 · MPW/NRE · 毛利率
折旧MPWNRE
20
产能扩充与建厂
选址因素 · 洁净室建设 · 设备采购 · 产能爬坡
建厂洁净室爬坡
21
先进制程技术
FinFET/GAA · 3D NAND/DRAM · CoWoS/InFO · 异构集成
FinFETGAA先进封装
22
特殊工艺技术
BCD · CIS · MEMS · 功率器件
BCDCISMEMS
23
质量体系与认证
ISO 9001/14001 · IATF 16949 · ESD · HTOL/HTSL
车规ESD可靠性
24
知识产权与保密
IP保护 · 交叉授权 · 商业秘密 · 客户数据隔离
IP保密授权
25
环保与安全
废水废气 · 化学品安全 · 职业健康 · ESG
ESG废水安全
26
行业趋势与挑战
摩尔定律放缓 · 地缘政治 · 产能波动 · 人才短缺
趋势地缘人才
27
案例分析
台积电 · 三星 · 中芯国际 · 联电与格芯
台积电三星中芯
28
模拟运营实战
产能规划模拟 · 良率提升 · 成本控制 · 紧急订单
模拟实战决策
29
职业发展路径
岗位体系(PE/PIE/YE) · 技能要求 · 认证 · 晋升
PEPIEYE
30
未来展望
量子计算 · AI应用 · Chiplet · 可持续发展
ChipletAI量子