01
晶圆制造概述
半导体产业全景 · 晶圆制造在产业链中的位置 · 从硅片到芯片的基本流程
产业全景基础流程
02
晶圆厂（FAB）架构与组织
FAB物理布局 · 洁净室等级与规范 · 组织架构与角色分工
FAB设计洁净室
03
硅片制备与外延
硅提纯与拉晶 · 硅片切割与抛光 · 外延生长工艺
硅片外延
04
氧化工艺
热氧化原理 · 干氧/湿氧氧化 · 氧化层质量与缺陷控制
热氧化缺陷控制
05
光刻工艺（一）
光刻基本原理 · 光刻胶类型与选择 · 涂胶、曝光、显影流程
光刻胶工艺流程
06
光刻工艺（二）
光刻机类型(Stepper/Scanner) · 对准与套刻精度 · 工艺窗口与分辨率
光刻机套刻精度
07
刻蚀工艺
湿法/干法刻蚀 · RIE原理 · 刻蚀选择比与形貌控制
RIE选择比
08
薄膜沉积（一）
CVD原理 · 低压CVD与等离子体增强CVD · 外延与多晶硅沉积
CVDPECVD
09
薄膜沉积（二）
PVD原理 · 溅射与蒸发 · 金属化工艺
PVD金属化
10
掺杂工艺
扩散原理与工艺 · 离子注入原理与工艺 · 退火与激活
离子注入退火
11
化学机械抛光（CMP）
CMP原理与设备 · 抛光液与抛光垫 · 工艺参数与缺陷
CMP平坦化
12
清洗工艺
RCA清洗法 · 湿法清洗设备 · 干法清洗技术
RCA湿法清洗
13
工艺整合（一）
CMOS工艺流程概览 · 阱与隔离区形成 · 栅极结构制造
CMOS栅极
14
工艺整合（二）
源漏区形成 · 接触孔与通孔 · 互连层制造
源漏互连
15
良率管理
良率定义与分类 · 缺陷来源分析 · 良率提升方法论
良率缺陷分析
16
统计过程控制（SPC）
SPC基础概念 · 控制图(X-bar/R图) · 过程能力指数(Cp/Cpk)
SPC控制图
17
实验设计（DOE）
DOE基本概念 · 全因子与部分因子实验 · 响应曲面法
DOE因子实验
18
设备管理
设备综合效率(OEE) · 预防性维护(PM) · 故障排查与根因分析
OEEPM
19
物料管理
硅片批次管理 · 化学品与气体管理 · BOM与库存控制
批次管理BOM
20
生产调度与排程
生产计划制定 · 派工规则(Lot Dispatching) · 瓶颈管理
调度瓶颈
21
自动化与MES
制造执行系统(MES) · 自动化物料搬运(AMHS) · 设备自动化(EAP)
MESAMHS
22
质量体系与认证
ISO 9001 / IATF 16949 · QC 080000 · FAB内部审计
质量体系认证
23
静电放电（ESD）防护
ESD原理与危害 · FAB中ESD控制措施 · 防护设备与材料
ESD防护
24
安全与环保
FAB化学品安全 · 气体安全 · 废水废气处理与环保合规
安全环保
25
成本控制
晶圆制造成本构成 · 成本降低策略 · 产能与成本的关系
成本产能
26
新产品导入（NPI）
NPI流程 · 设计规则检查(DRC) · 试产与量产切换
NPIDRC
27
失效分析（FA）
FA流程 · 常用分析技术(SEM/EDX, FIB, TEM) · 案例分析
失效分析SEM
28
先进制程技术
FinFET与GAA架构 · 极紫外光刻(EUV) · 先进封装技术
FinFETEUV
29
晶圆制造的未来趋势
AI在FAB中的应用 · 数字孪生 · 可持续制造
AI数字孪生
30
课程总结与职业发展
晶圆制造工程师技能树 · 行业认证 · 职业路径规划
技能树职业规划