Foundry工艺开发零基础入门指南

📚 共计 30 章节

Foundry工艺概述

什么是Foundry · Foundry与IDM区别 · 全球主要厂商 · 工艺开发工程师职责

半导体物理基础

能带理论 · 载流子 · 掺杂与PN结 · MOS电容基础

硅片制造与准备

单晶硅生长(CZ/FZ) · 切割抛光 · 硅片规格缺陷 · 外延生长

洁净室与安全规范

洁净室等级 · 黄光区防静电 · 化学品SDS · 紧急应变

光刻工艺(一)

光刻原理 · 正/负胶 · Stepper/Scanner · CD/Overlay

光刻工艺(二)

涂胶/软烘/曝光/显影/坚膜 · 厚度控制 · 驻波效应 · 缺陷分析

干法(RIE/ICP) · 湿法 · 刻蚀速率/选择比 · 轮廓与终点检测

刻蚀图形转移

薄膜沉积(一)

PVD/溅射 · 热蒸发 · CVD · 原子层沉积ALD

薄膜沉积(二)

LPCVD/PECVD/HDPCVD · 应力控制 · 台阶覆盖 · SiO₂/Si₃N₄/Poly

氧化(干氧/湿氧) · 扩散 · 退火(RTA/炉管) · 热预算

热处理氧化

注入原理与设备 · 能量/剂量/角度 · 沟道效应 · 退火激活

化学机械抛光(CMP)

CMP原理 · 抛光液/垫 · 平坦化 · 碟形/腐蚀缺陷

CMOS工艺流程(一)

STI · 阱注入 · 栅极氧化层 · 多晶硅栅极

CMOS工艺流程(二)

LDD · 侧墙(Spacer) · 源漏注入 · Salicide

CMOS工艺流程(三)

接触孔 · Damascene互连 · 钝化层与PAD

器件物理基础

阈值电压 · 跨导 · 亚阈值摆幅 · 体效应/短沟道

器件可靠性

HCI · NBTI · TDDB · 电迁移(EM)

可靠性失效

工艺整合 (Integration)

整合工程师角色 · DRC/光罩 · 工艺窗口/DOE · 良率提升

量测与表征

膜厚(椭偏/反射) · CD-SEM · SIMS · KLA缺陷检测

良率与缺陷管理

良率分类 · 缺陷密度 · Poisson/Murphy模型 · 良率爬坡

统计过程控制(SPC)

Cp/Cpk · X-bar/R图 · 过程能力 · FDC故障检测

光罩制作 · OPE · OPC校正 · SRAF辅助图形

先进光刻技术

浸没式 · 多重图形(LELE/SADP) · EUV · 高NA EUV

先进存储工艺

DRAM电容/晶体管 · 3D NAND · RRAM/MRAM

存储非易失

功率器件工艺

LDMOS · VDMOS · IGBT · SiC/GaN宽禁带

功率宽禁带

MEMS与传感器工艺

体硅/表面微加工 · 压阻/电容式 · 晶圆键合

工艺仿真与TCAD

Sentaurus/Athena · 工艺仿真 · 器件仿真 · 优化

制造执行系统(MES)

派工/追溯/报表 · EAP · RMS · 大数据分析

成本与产能分析

晶圆成本 · WPM/UPH · OEE · 工艺转移/NPI

职业发展与未来趋势

技能树 · 工艺到整合 · AI应用 · 后摩尔时代