先进工艺导入入门要点解析

📚 共计 30 章节

工艺节点演进

从微米到纳米的历程 · 摩尔定律的物理极限 · 先进工艺的定义与分类

摩尔定律节点

核心器件结构

FinFET与GAAFET原理对比 · Ion/Ioff、SS、DIBL · 器件尺寸缩放规则

光刻技术基础

光刻原理与流程 · 光源波长演进 (KrF/ArF/EUV) · 分辨率增强技术 (OPC/PSM)

刻蚀与沉积

干法刻蚀与湿法刻蚀 · ALD与CVD · 高深宽比刻蚀挑战

掺杂与退火

离子注入原理 · RTP与激光退火 · 超浅结工艺

离子注入RTP

互连与介质层

铜互连与低k介质 · 双大马士革工艺 · CMP平坦化技术

设计规则与版图

设计规则检查 (DRC) · 最小间距与最小宽度 · 天线效应与闩锁效应

DRC天线效应

标准单元库

标准单元结构 · 库特征化与时序模型 · 功耗与面积的权衡

时序模型功耗

静态时序分析 (STA)

建立时间与保持时间 · 时序路径分析 · OCV与AOCV

功耗分析与优化

动态功耗与静态功耗 · 电源网络设计 · 时钟门控、多阈值

低功耗时钟门控

信号完整性 (SI)

串扰噪声 · IR Drop分析 · 电迁移 (EM) 效应

可制造性设计 (DFM)

光刻友好设计 · CMP热点分析 · 良率提升策略

工艺角与蒙特卡洛

工艺角定义 (TT/FF/SS) · 蒙特卡洛仿真 · SSTA

可靠性设计 (DFR)

HCI · NBTI · TDDB

ESD保护设计

ESD事件与模型 · 保护电路结构 · 全芯片ESD设计

I/O电路设计

I/O标准与电平转换 · ESD与I/O协同 · 高速I/O接口

I/O电平转换

存储器设计

SRAM单元结构 · 存储器编译与特征化 · 嵌入式存储器测试

模拟与混合信号

模拟器件建模 · 工艺偏差影响 · 数模混合仿真

混合信号建模

时钟树综合 (CTS)

时钟网络结构 · 时钟偏差与抖动 · 时钟树优化方法

CTS时钟偏差

电源网络设计

电源网格结构 · IR Drop与EM分析 · 去耦电容放置

电源网格去耦

DRC与LVS验证 · ERC检查 · 版图与原理图一致性

寄生参数提取

寄生电容与电阻提取 · RC延迟计算 · 后仿真流程

寄生后仿真

ECO与设计修改

功能ECO与时序ECO · 金属层修改策略 · 快速ECO流程

良率分析与提升

良率模型 (Poisson/负二项式) · 关键面积分析 · 良率学习曲线

测试与可测性设计 (DFT)

扫描链插入 · 边界扫描 (JTAG) · 内建自测试 (BIST)

工艺设计套件 (PDK)

PDK组成与使用 · 器件模型与参数化单元 · 设计规则与DRC deck

先进封装技术

2.5D与3D封装 · TSV技术 · 异构集成

TSV异构集成

DTCO协同优化

DTCO方法论 · 标准单元与工艺协同 · 系统级优化

AI在先进工艺中的应用

机器学习在OPC中的应用 · AI辅助版图生成 · 良率预测

未来工艺展望

1nm及以下技术 · 量子计算与新型器件 · 碳基与二维材料

1nm量子碳基