工艺平台建设核心概念精讲

📚 共计 30 章节

工艺平台概述

什么是工艺平台 · 产业链位置 · 主流分类：逻辑/存储/模拟/功率/MEMS

工艺节点演进

微米→纳米关键节点 · 摩尔定律 · 节点命名商业逻辑与技术实质

晶圆制备基础

单晶硅生长 · 切割定向 · 规格参数 · 衬底掺杂与电阻率控制

光刻技术核心

光刻流程 · 光刻胶 · 曝光光源 g-line→EUV · 分辨率与焦深

图形化核心

掩模版工程

制造流程 · OPC · 相移掩模 PSM · 检测与修复

薄膜沉积技术

PVD · CVD · ALD · 外延生长 · 均匀性与应力控制

热扩散 · 离子注入 · 退火激活 · 掺杂分布控制

湿法/干法 · RIE · DRIE · 选择比与各向异性

图形转移关键

化学机械抛光 (CMP)

CMP原理 · 平坦化 · 铜互连CMP · STI CMP

平坦化全局

清洗与湿法工艺

RCA标准清洗 · 单晶圆清洗 · 兆声清洗 · 湿法去胶

RTP · 干氧/湿氧氧化 · 氮化 · 合金与烧结

热处理氧化

CMOS工艺流程详解

衬底→金属化 · 阱/栅极/源漏 · 接触与互连

核心流程CMOS

LOCOS · STI · DTI · SOI

多晶硅/金属栅极 · 高k介质 · 功函数 · 关键尺寸

LDD · 源漏延伸 · 应变硅 · 硅化物接触

铝/铜互连 · 镶嵌工艺 · 低k介质 · 阻挡层/种子层

接触与通孔

接触电阻 · Salicide · 钨塞 · 通孔刻蚀与填充

存储器工艺

DRAM · NAND Flash · 3D NAND · MRAM/RRAM

存储非易失

功率器件工艺

VDMOS · LDMOS · IGBT · SiC/GaN工艺差异

功率宽禁带

模拟与混合信号工艺

无源器件 · 双极型 · 高压器件 · 匹配性设计

体硅/表面微加工 · LIGA · 晶圆键合 · MEMS+IC

微系统传感器

工艺集成与设计规则

设计规则类型 · 最小间距/宽度 · 天线效应 · 闩锁预防

良率与缺陷管理

良率分类 · 缺陷来源 · 良率提升方法论

工艺控制与监测

CD测量 · 膜厚 · 颗粒监测 · WAT · SPC

工艺建模与仿真

TCAD工具 · 掺杂/氧化/扩散仿真 · 器件仿真 · 协同优化

先进封装技术

WLP · TSV · 扇出型 · 3D堆叠与异构集成

工艺平台开发流程

节点定义 · 模块开发 · 整合 · 可靠性 · 量产导入

工艺平台经济性分析

光刻层数与成本 · 良率影响 · 产能利用率 · 选型策略

工艺平台发展趋势

GAA/CFET · 背面供电 · 先进光刻 · AI驱动优化

工艺平台建设案例

逻辑/存储/功率工艺平台建设复盘