第1章
失效分析导论
失效分析的定义与目的 · 在半导体行业中的重要性 · 基本流程与阶段划分
基础概论
第2章
电学测量基础
欧姆定律与基尔霍夫定律回顾 · 电阻/电容/电感特性 · 万用表与示波器原理
仪表电路
第3章
精密源测量单元 (SMU) 原理
四大象限工作模式 · 精度与分辨率 · IV曲线测试应用
SMU源表
第4章
探针台系统
机械结构与类型 · 探针卡选择与维护 · 接触电阻控制
探针硬件
第5章
开尔文 (四线) 测量法
原理与优势 · 消除接触电阻机制 · 低阻测量实例
四线法精密
第6章
IV曲线测试技术
基本形态与物理意义 · 正反向扫描 · 异常模式判读
IV曲线
第7章
漏电流测量技术
皮安级挑战 · 屏蔽与防护 · 三轴/同轴电缆选择
弱电流屏蔽
第8章
电容-电压 (CV) 测量技术
基本原理 · MOS电容CV特性 · 氧化层厚度/掺杂提取
CVMOS
第9章
电荷泵技术
基本原理 · 栅氧化层完整性评估 · 电流与界面态密度
电荷泵栅氧
第10章
噪声测量技术
1/f噪声与散粒噪声 · 缺陷检测应用 · 低噪声环境搭建
噪声低频
第11章
热成像失效定位
红外热成像原理 · 热点检测定位 · 短路/过流失效
热成像红外
第12章
光发射显微镜 (EMMI) 技术
工作原理 · 光子发射与缺陷 · PN结漏电/ESD应用
EMMI光子
第13章
OBIRCH 技术
热效应原理 · 金属空洞/通孔定位 · 与EMMI联合分析
OBIRCH激光
第14章
激光电压成像 (LVI) 技术
工作原理 · 时钟/电源噪声定位 · 与激光探针结合
LVI成像
第15章
激光辅助探针 (LVP) 技术
时间分辨能力 · 内部节点波形测量 · 时序分析价值
LVP波形
第16章
导电原子力显微镜 (C-AFM)
工作原理 · 栅氧化层击穿点定位 · 扫描模式与分辨率
C-AFMAFM
第17章
扫描电容显微镜 (SCM)
工作原理 · 掺杂浓度分布成像 · PN结失效案例
SCM掺杂
第18章
静电放电 (ESD) 失效分析
失效模式与机理 · TLP测试技术 · ESD防护评估
ESDTLP
第19章
闩锁效应 (Latch-up) 测试
触发机理 · JEDEC标准 · 电学定位方法
Latch-upJEDEC
第20章
电迁移 (EM) 测试
物理机制 · 加速寿命测试 · 电阻变化特征
EM可靠性
第21章
热载流子注入 (HCI) 测试
物理机理 · 阈值电压/跨导影响 · 应力条件设置
HCI热载流子
第22章
负偏置温度不稳定性 (NBTI)
物理机理 · PMOS影响 · 恢复效应与测量窗口
NBTIPMOS
第23章
时间相关介质击穿 (TDDB)
物理模型 · 加速测试 · 寿命预测与Weibull分布
TDDB击穿
第24章
自动测试设备 (ATE) 基础
架构与功能 · 晶圆/封装级测试 · 测试程序开发
ATE自动化
第25章
参数测试系统
组成与配置 · 工艺监控(PCM) · 数据统计分析
参数测试PCM
第26章
失效分析中的数据分析方法
IV/CV异常检测 · 数据拟合与参数提取 · 统计模式识别
数据分析算法
第27章
样品制备技术
机械研磨与截面 · FIB切割修补 · 电学探针制备
FIB制样
第28章
电学测量中的噪声抑制
电源线滤波 · 接地环路诊断 · 差分测量应用
噪声抑制接地
第29章
综合案例分析 (一)
典型漏电定位流程 · IV异常到EMMI热点 · 电学+物理分析
案例漏电
第30章
综合案例分析 (二)
复杂多失效点策略 · OBIRCH+LVI实战 · 报告撰写要点
实战报告