01
刻蚀工艺基础
等离子体刻蚀原理、刻蚀速率与选择比、终点检测的意义与挑战
等离子体终点检测
02
光学发射光谱(OES)原理
等离子体发光机制、特征波长选择、光谱采集硬件架构
OES光谱
03
OES信号预处理
去噪滤波(移动平均、小波)、基线校正、归一化方法
滤波归一化
04
特征提取技术
峰值检测、斜率变化点、积分面积比、主成分分析(PCA)
PCA特征工程
05
阈值法终点检测
固定阈值、动态阈值、自适应阈值算法实现
阈值自适应
06
机器学习入门
监督学习 vs 无监督学习、特征工程、模型评估指标
ML评估
07
KNN分类器
K近邻原理、距离度量、在终点检测中的应用
KNN分类
08
支持向量机(SVM)
线性SVM、核函数、软间隔、多分类策略
SVM核函数
09
决策树与随机森林
信息增益、基尼系数、集成学习、特征重要性
随机森林集成
10
神经网络基础
感知机、激活函数、反向传播、过拟合与正则化
NN反向传播
11
卷积神经网络(CNN)
卷积层、池化层、全连接层、1D-CNN用于时序信号
CNN1D-CNN
12
循环神经网络(RNN)
序列建模、LSTM、GRU、时间序列预测
RNNLSTM
13
自编码器
降噪自编码器、变分自编码器、异常检测应用
自编码器异常检测
14
迁移学习
预训练模型、微调策略、跨腔室/跨工艺迁移
迁移学习微调
15
实时数据处理
数据流架构、滑动窗口、缓冲机制、延迟优化
实时流处理
16
多传感器融合
OES+VI probe、OES+RF监测、数据对齐与同步
多传感器融合
17
异常检测
孤立森林、LOF、基于重构的异常检测、误报抑制
异常检测LOF
18
模型部署
ONNX导出、TensorRT加速、边缘计算部署
ONNXTensorRT
19
GUI开发
PyQt5界面设计、实时曲线绘制、报警与日志系统
PyQt5GUI
20
SECS/GEM通信
半导体设备通信协议、HSMS连接、数据上报
SECS/GEMHSMS
21
工艺验证
DOE实验设计、重复性测试、稳定性评估、CPK计算
DOECPK
22
案例1：氧化物刻蚀终点检测
OES 483nm波长阈值法
案例氧化物
23
案例2：金属刻蚀终点检测
多波长PCA+ SVM分类
案例金属
24
案例3：深硅刻蚀(DRIE)终点检测
LSTM时序预测
案例DRIE
25
案例4：III-V族材料刻蚀
自编码器异常检测
案例III-V
26
算法对比
传统方法 vs 机器学习 vs 深度学习——精度、速度、鲁棒性
对比评估
27
常见问题与调试
信号漂移、腔室匹配、工艺窗口变化、模型退化
调试漂移
28
性能优化
C++/CUDA加速、多线程处理、内存管理、低延迟设计
CUDA优化
29
行业标准与规范
SEMI标准、安全规范、数据记录要求
SEMI标准
30
未来趋势
数字孪生、AI自优化腔室、联邦学习、边缘智能
数字孪生联邦学习