01
ALD技术概论
发展历史 · 自限制表面反应 · 高k介质/金属栅极/先进存储
核心地位半导体
02
ALD设备硬件架构
真空系统 · 反应腔体(热壁/冷壁) · 前驱体输运
泵组阀门喷淋头
03
前驱体化学基础
挥发性/热稳定性/反应活性 · 金属有机/卤化物/氢化物
纯度控制选择原则
04
ALD工艺窗口与参数
沉积温度窗口 · 脉冲/吹扫时间 · 饱和曲线 · 循环数线性
剂量优化膜厚控制
05
Al₂O₃ ALD工艺开发 (上)
TMA与水 · 工艺参数初设 · 膜厚均匀性调试
前驱体均匀性
06
Al₂O₃ ALD工艺开发 (下)
XRR/XPS/AFM · CV/IV测试 · 缺陷分析与改善
薄膜质量电学性能
07
HfO₂ ALD工艺开发
TDMAHf与O₃/H₂O · 高k介质 · 界面层与结晶控制
高k结晶
08
金属氮化物ALD (TiN/TaN)
TiCl₄/TDMAT+NH₃ · 电阻率vs台阶覆盖 · 扩散阻挡层
阻挡层保形性
09
金属ALD工艺 (Ru/Co/Cu)
金属前驱体 · 成核控制 · 电阻率与应力管理
连续膜应力
10
等离子体增强ALD (PEALD)
ICP/CCP源 · 等离子体参数 · 低温工艺应用
PEALD低温
11
空间ALD (Spatial ALD)
旋转盘/线性扫描 · 高速沉积 · 光伏/柔性电子
高速柔性
12
ALD工艺原位监测
QCM · RHEED · 椭圆偏振(SE) · 质谱(MS)
原位监测
13
ALD薄膜表征技术 (上)
膜厚(椭偏/XRR/SEM) · 成分(XPS/RBS/SIMS) · 结晶(XRD/TEM)
成分结晶
14
ALD薄膜表征技术 (下)
电学(CV/IV/击穿) · 力学(应力/硬度) · 光学(折射率)
电学光学
15
ALD工艺缺陷控制
颗粒污染 · 针孔/漏电 · 界面污染与工程
缺陷界面
16
均匀性与重复性
面内均匀性 · 批次重复性 · 工艺漂移补偿
均匀性重复性
17
FinFET/GAA晶体管应用
高k/金属栅极堆叠 · 功函数金属 · 侧壁保形
FinFETGAA
18
DRAM电容应用
ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂叠层 · TiN/Ru电极 · 深宽比
DRAM高k叠层
19
3D NAND应用
ONOP阻挡层 · 多晶硅沟道 · 超高深宽比填充
3D NAND填充
20
先进封装应用
TSV衬里/阻挡层 · RDL介质 · 微凸点金属化
封装TSV
21
MEMS与传感器应用
保形涂层 · 牺牲层释放 · 压电/热电薄膜
MEMS传感器
22
光学与光电子应用
抗反射涂层 · 波导层 · QLED发光层
光学QLED
23
催化与能源应用
催化剂载体涂层 · 电池电极 · 固态电解质
催化能源
24
ALD工艺开发方法论
DOE实验设计 · 关键参数筛选 · 响应面优化
DOE优化
25
工艺转移与量产化
研发到量产 · 设备差异 · 产能与成本优化
量产转移
26
ALD工艺安全与规范
SDS · 安全联锁 · 废气处理与排放
安全规范
27
常见故障排查
膜厚异常 · 均匀性差 · 颗粒超标 · 管路堵塞
故障排查
28
先进控制与机器学习
模型控制 · 虚拟计量 · 机器学习应用
ML虚拟计量
29
ALD技术前沿与趋势
原子层刻蚀(ALE) · 选择性ALD · 大面积/高产能
ALE前沿
30
综合案例实战：SiO₂ ALD
前驱体选择 · 参数优化 · 表征验证 · 全流程问题解决
实战SiO₂