第1章
电子特气概述
什么是电子特气 · 核心地位 · 蚀刻/沉积/掺杂/清洗气体分类
基础分类
第2章
芯片制造工艺流程概览
从硅片到芯片 · 光刻/刻蚀/沉积/离子注入/CMP中特气角色
流程全景
第3章
刻蚀气体（一）氟基气体
CF₄/CHF₃/C₄F₈/SF₆ · 刻蚀机理 · 硅/二氧化硅/氮化硅应用
刻蚀氟基
第4章
刻蚀气体（二）氯基气体
Cl₂/BCl₃/HBr · 金属(铝/铜)刻蚀 · 化学性质与机理
刻蚀氯基
第5章
刻蚀气体（三）氧/氩基气体
O₂与Ar在刻蚀中的作用 · 气体混合策略 · 选择比控制
刻蚀混合
第6章
沉积气体（一）硅烷与DCS
SiH₄/二氯硅烷 · CVD应用 · 多晶硅/氮化硅薄膜生长
沉积硅烷
第7章
沉积气体（二）TEOS与TDMAT
正硅酸乙酯/四(二甲氨基)钛 · 二氧化硅/氮化钛沉积
沉积前驱体
第8章
沉积气体（三）钨/铜前驱体
WF₆/Cu(hfac)₂ · 金属化工艺 · 原子层沉积(ALD)气体
金属ALD
第9章
掺杂气体
PH₃/AsH₃/B₂H₆ · 离子注入/扩散 · 掺杂浓度控制
掺杂离子注入
第10章
清洗与蚀刻残留物去除气体
NF₃远程等离子体清洗 · C₂F₆/O₂腔室清洁
清洗残留物
第11章
气体纯度与杂质控制
5N/6N/7N等级 · 颗粒/金属/水分/氧对良率影响
纯度杂质
第12章
气体供应系统
气瓶/阀门/调压器/MFC/纯化器 · 选型与原理
供应设备
第13章
气体管路设计与材料选择
316L EP管路/VCR接头 · 电化学抛光 · 死体积控制
管路材料
第14章
气体安全与监控
毒性/易燃易爆气体监测 · 防爆设计 · 泄漏应急处理
安全监控
第15章
气体混合与配比技术
在线混合/预混气体 · 动态配气 · 混气均匀性
混合配比
第16章
先进制程中的应用（一）
FinFET/GAA晶体管 · 高深宽比刻蚀气体选型
先进制程FinFET
第17章
先进制程中的应用（二）
EUV光刻气体环境 · 氢气/氦气作用
EUV光刻
第18章
先进制程中的应用（三）
3D NAND/DRAM · 多层堆叠刻蚀与沉积气体
存储3D NAND
第19章
气体消耗与成本控制
气体利用率优化 · 尾气处理(Scrubber) · 回收再利用
成本环保
第20章
气体供应商评估与管理
林德/空气化工/大阳日酸/华特 · 质量认证与审计
供应商管理
第21章
气体分析技术
GC/FTIR/颗粒计数器/水分分析仪 · 质量监控
分析仪器
第22章
气体输送中的静电控制
ESD影响 · 接地与静电消除措施
静电安全
第23章
气体与工艺腔室的兼容性
腐蚀/涂层(Y₂O₃/Al₂O₃) · 颗粒产生机制
腔室兼容性
第24章
化合物半导体制造中的应用
GaAs/GaN/SiC特气需求 · 与硅基差异
化合物半导体
第25章
MEMS与传感器制造中的应用
DRIE中SF₆/C₄F₈ · 牺牲层释放气体
MEMS传感器
第26章
先进封装中的应用
TSV刻蚀气体 · 晶圆级封装清洗/沉积气体
封装TSV
第27章
数字化与智能化气体管理
消耗监控/MES集成 · 预测性维护/库存管理
数字化智能
第28章
环保法规与气体排放控制
PFCs温室效应 · 催化/等离子体分解减排
环保法规
第29章
气体选型案例分析（一）
逻辑芯片 · 28nm到5nm气体方案演进
案例逻辑
第30章
气体选型案例分析（二）
存储芯片 · 3D NAND与DRAM气体方案对比
案例存储