01
硅片制造概述
半导体产业简介 · 硅材料特性 · 从沙子到硅片的旅程 · 工艺节点与摩尔定律
基础产业链
02
晶体生长与拉晶
直拉法(CZ) · 区熔法(FZ) · 掺杂技术 · 晶体缺陷控制
晶体CZ
03
硅片切割与研磨
外径切割 · 线切割 · 研磨工艺 · 损伤层去除
切割研磨
04
硅片抛光与清洗
CMP化学机械抛光 · 双面抛光 · RCA标准清洗 · 颗粒控制
CMP清洗
05
外延生长
气相外延(VPE) · 分子束外延(MBE) · 外延层质量检测 · 自掺杂效应
外延VPE
06
氧化工艺
热氧化(干氧/湿氧) · 氧化速率模型 · LOCOS隔离 · 栅氧化层质量
氧化LOCOS
07
扩散工艺
替位/间隙扩散 · 扩散炉管 · 恒定源/有限源 · 结深测量
扩散炉管
08
离子注入
注入原理与沟道效应 · 注入损伤与退火 · 剂量控制 · 高能注入
注入退火
09
光刻工艺（上）
光刻胶(正/负) · 旋涂 · 软烘/曝光/显影 · 分辨率与对比度
光刻光刻胶
10
光刻工艺（下）
光刻机(接触/步进/扫描) · 对准标记 · 套刻精度 · 缺陷
光刻机套刻
11
刻蚀工艺（湿法）
湿法刻蚀原理 · 各向同性 · Si/SiO₂/Si₃N₄配方 · 速率控制
湿法刻蚀液
12
刻蚀工艺（干法）
RIE · ICP · Bosch工艺 · 高深宽比 · 终点检测
干法RIE
13
薄膜沉积（PVD）
物理气相沉积 · 蒸发/溅射 · 台阶覆盖 · 薄膜应力
PVD溅射
14
薄膜沉积（CVD）
CVD原理 · LPCVD/PECVD/APCVD · TEOS · 均匀性
CVDPECVD
15
金属化工艺
铝/铜互连 · 钨塞 · 阻挡层(TiN/TaN) · 电镀铜 · CMP平坦化
互连阻挡层
16
化学机械抛光（CMP）
CMP耗材 · 铜CMP/STI CMP · 终点检测 · 缺陷控制
CMP抛光垫
17
清洗与干燥
RCA清洗(SC1/SC2) · 稀释化学清洗 · Marangoni干燥 · 兆声清洗
清洗RCA
18
检测与量测
光学显微镜 · SEM/TEM · 膜厚测量 · 颗粒检测
量测SEM
19
电学测试
四探针 · CV/IV测试 · MOS电容 · 良率分析
测试良率
20
CMOS工艺流程（前段）
N阱/P阱 · STI隔离 · 栅极形成 · LDD注入 · 侧墙
CMOSFEOL
21
CMOS工艺流程（后段）
ILD沉积 · 接触孔 · 金属1/M1 · 通孔/金属2 · 钝化层
BEOL互连
22
功率器件工艺
VDMOS · IGBT · 超结 · SiC/GaN工艺特点
功率SiC
23
存储器工艺
DRAM电容 · NAND Flash堆叠 · 3D NAND · RRAM/PRAM
存储器3D NAND
24
MEMS工艺
体硅微加工 · 表面微加工 · LIGA · 键合 · 释放
MEMS微加工
25
先进光刻技术
EUV · 多重图形(LELE/SADP) · 计算光刻OPC · 光刻胶新进展
EUVOPC
26
工艺集成与良率
设计规则(DRC) · OPC修正 · 良率模型 · 缺陷密度
良率DRC
27
洁净室与厂务
洁净室等级(Class 1/10/100) · AMC控制 · 超纯水 · 化学品供应
洁净室厂务
28
ESD与天线效应
ESD保护 · 天线效应原理 · 天线规则 · 电荷收集与消除
ESD天线
29
工艺可靠性
HCI · NBTI · 电迁移(EM) · 介质击穿(TDDB)
可靠性NBTI
30
未来趋势与职业发展
超越摩尔 · 异构集成 · Chiplet · 工艺工程师技能树
趋势职业