01
第三代半导体概述
宽禁带半导体（SiC、GaN）的材料特性、与传统硅器件的对比、可靠性测试的重要性。
SiCGaN宽禁带
02
可靠性测试基础
失效物理、浴盆曲线、加速寿命试验（ALT）的基本原理、Arrhenius模型。
ALT浴盆曲线
03
高温栅偏测试（HTGB）
测试目的、测试电路搭建、偏置条件设置、失效判据与数据分析。
HTGB栅极
04
高温反偏测试（HTRB）
测试目的、反向偏置下的漏电流机理、测试流程与规范。
HTRB漏电流
05
间歇工作寿命测试（IOL）
功率循环与温度循环的区别、测试条件设定、热阻退化分析。
IOL功率循环
06
静电放电（ESD）测试
人体模型（HBM）、机器模型（MM）、充电器件模型（CDM）、GaN器件的ESD脆弱性。
ESDHBMCDM
07
辐射效应测试
总剂量效应（TID）、单粒子效应（SEE）、中子位移损伤、测试标准与设施。
TIDSEE
08
湿度与腐蚀测试
高压高湿反偏测试（H3TRB）、盐雾测试、封装可靠性评估。
H3TRB盐雾
09
热特性测试
热阻（Rth）测量、瞬态热测试（T3Ster）、结构函数分析、结温估算。
RthT3Ster
10
动态导通电阻退化测试
GaN HEMT特有的电流崩塌效应、硬开关与软开关条件下的退化、测试方法。
电流崩塌GaN
11
雪崩与短路耐受能力测试
非钳位感性开关（UIS）测试、短路测试（SCSOA）、失效能量计算。
UISSCSOA
12
栅极可靠性测试
栅极漏电、阈值电压漂移、栅极氧化物击穿（TDDB）、栅极应力测试。
TDDB阈值漂移
13
高温存储寿命测试（HTSL）
测试条件、材料间热机械应力、长期稳定性评估。
HTSL存储
14
温度循环与热冲击测试
温度循环（TCT）、热冲击（TST）、封装裂纹与分层检测。
TCTTST
15
机械应力测试
振动测试、机械冲击测试、离心加速度测试、引线键合强度。
振动冲击
16
可焊性与引线可靠性测试
可焊性测试、引线拉力测试、弯曲疲劳测试。
可焊性引线
17
老化与筛选测试
老化测试（Burn-in）、电学筛选、参数漂移筛选、早期失效剔除。
Burn-in筛选
18
晶圆级可靠性测试（WLR）
晶圆级TDDB、晶圆级热载流子注入（HCI）、晶圆级电迁移（EM）。
WLRHCIEM
19
封装级可靠性测试
塑封料吸湿、爆米花效应、分层扫描声学显微镜（SAM）检测。
SAM爆米花
20
车规级可靠性标准（AEC-Q101）
AEC-Q101测试项目详解、分组与样本量、零缺陷要求。
AEC-Q101车规
21
功率循环测试
功率循环与温度循环的对比、循环次数与失效模式、在线监测技术。
功率循环在线监测
22
高压封装爬电距离与绝缘测试
爬电距离设计、局部放电测试、绝缘击穿电压测试。
爬电距离局部放电
23
高频特性退化测试
S参数漂移、截止频率（fT）退化、开关损耗增加。
S参数fT
24
衬底与外延层缺陷检测
位错密度、微管缺陷、X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）检测。
XRDPL
25
欧姆接触与肖特基接触可靠性
接触电阻退化、势垒高度变化、金属扩散与界面反应。
欧姆接触肖特基
26
可靠性数据统计与分析
Weibull分布、对数正态分布、置信区间、寿命预测模型。
Weibull置信区间
27
失效分析技术
聚焦离子束（FIB）、扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、能谱分析（EDS）。
FIBSEMTEM
28
加速因子与寿命模型
Arrhenius模型、Coffin-Manson模型、Eyring模型、模型选择与验证。
ArrheniusCoffin-Manson
29
可靠性测试方案设计
测试矩阵设计、样本量计算、应力水平选择、测试终止条件。
测试矩阵样本量
30
案例研究
SiC MOSFET与GaN HEMT的典型失效案例、测试数据分析与改进措施。
SiC MOSFETGaN HEMT