01
GaN HEMT概述
GaN材料特性、HEMT工作原理、应用领域与市场前景
基础宽禁带
02
AlGaN/GaN异质结
极化效应、2DEG形成机制、浓度与迁移率影响因素
异质结2DEG
03
器件结构与版图设计
源漏欧姆接触、栅极肖特基、场板结构、隔离技术
版图接触
04
关键工艺模块（一）
MOCVD外延生长、缓冲层设计、成核层与过渡层优化
外延MOCVD
05
关键工艺模块（二）
欧姆接触工艺、退火条件优化、接触电阻率测试
欧姆接触退火
06
关键工艺模块（三）
栅极工艺、肖特基势垒高度调控、栅介质沉积
栅极肖特基
07
关键工艺模块（四）
钝化层工艺、SiNx/SiO2钝化、电流崩塌抑制
钝化电流崩塌
08
关键工艺模块（五）
场板工艺、源场板与栅场板设计、优化击穿电压
场板击穿
09
器件特性与测试
直流特性、转移/输出特性、阈值电压提取
测试特性
10
高频特性
小信号等效电路、fT/fmax提取、寄生参数影响
高频fT
11
功率特性
大信号负载牵引、功率密度与效率、线性度分析
功率负载牵引
12
可靠性问题（一）
电流崩塌效应、陷阱表征、深能级瞬态谱(DLTS)
可靠性陷阱
13
可靠性问题（二）
栅极漏电机制、逆压电效应、热管理
漏电热管理
14
可靠性问题（三）
关态击穿机制、缓冲层漏电、垂直击穿
击穿缓冲层
15
增强型器件技术（一）
p-GaN栅极技术、栅极刻蚀与损伤修复
增强型p-GaN
16
增强型器件技术（二）
凹槽栅技术、MIS栅结构、阈值电压调控
凹槽栅MIS
17
增强型器件技术（三）
氟离子注入技术、栅极退火优化
氟离子注入
18
增强型器件技术（四）
级联结构(Cascode)、混合集成方案
Cascode集成
19
器件仿真基础
TCAD工具介绍、Sentaurus/Atlas基本使用、材料参数
TCAD仿真
20
器件仿真进阶
2DEG模型校准、陷阱模型、自热效应模型
校准自热
21
工艺仿真
工艺步骤建模、扩散与激活、刻蚀与沉积仿真
工艺刻蚀
22
结构优化（一）
Al组分与势垒层厚度优化、插入层设计
Al组分势垒
23
结构优化（二）
缓冲层掺杂与组分渐变、C掺杂与Fe掺杂对比
缓冲层掺杂
24
结构优化（三）
栅极长度与位置优化、T型栅设计
T型栅栅长
25
结构优化（四）
双异质结结构、背势垒设计、抑制短沟道效应
双异质结短沟道
26
结构优化（五）
Fin-HEMT与纳米沟道结构、三维集成潜力
Fin-HEMT纳米沟道
27
热管理设计
热仿真基础、衬底选择(SiC/Si/金刚石)、热沉设计
热管理衬底
28
工艺集成与流片
Mask设计、关键工艺窗口、良率提升策略
流片良率
29
GaN HEMT在射频中的应用
5G基站、雷达、卫星通信的器件需求
射频5G
30
GaN HEMT在电力电子中的应用
DC-DC转换器、车载充电器、逆变器设计
电力电子逆变器