01
SiC材料基础
碳化硅的晶型结构、物理特性（宽禁带、高临界场强、高热导率）及其在功率器件中的优势。
宽禁带高临界场强
02
SiC MOSFET器件结构
平面栅与沟槽栅结构对比、寄生参数（Cgd、Cgs、Cds）对开关行为的影响。
沟槽栅寄生电容
03
静态特性分析
输出特性曲线、转移特性曲线、导通电阻Rds(on)的温度特性与栅极电压依赖性。
Rds(on)温度特性
04
开关过程物理机理
米勒平台形成机制、栅极电荷Qg与开关速度的关系、di/dt与dv/dt的控制。
米勒平台Qg
05
开通损耗分析
开通延迟时间、电流上升时间、电压下降时间与损耗计算模型。
Eon延迟时间
06
关断损耗分析
关断延迟时间、电压上升时间、电流下降时间与损耗计算模型。
Eoff电压上升
07
栅极驱动影响
栅极电阻Rg对开关速度与损耗的影响、栅极电压摆幅的优化策略。
Rg驱动优化
08
寄生电感影响
源极寄生电感Ls对开关特性的退化作用、共源电感引起的误导通。
Ls误导通
09
温度特性
结温对导通电阻、阈值电压、开关速度及损耗的影响规律。
结温阈值电压
10
体二极管特性
SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性、双极退化效应及其对损耗的影响。
反向恢复双极退化
11
双脉冲测试原理
双脉冲测试电路拓扑、测试步骤与关键波形解读。
双脉冲波形解读
12
双脉冲测试实操
测试平台搭建、探头选择与校准、测量误差分析与补偿。
探头校准误差补偿
13
损耗分离方法
开关损耗与导通损耗的分离、基于示波器波形的能量积分计算。
能量积分损耗分离
14
仿真模型基础
SPICE模型类型（Level 1/2/3）、模型参数提取与验证方法。
SPICELevel 3
15
仿真案例分析
基于LTspice的双脉冲仿真、寄生参数对波形影响的仿真对比。
LTspice寄生参数
16
硬开关损耗
硬开关拓扑（Buck、Boost）中的损耗组成与优化方向。
BuckBoost
17
软开关损耗
ZVS与ZCS拓扑中的损耗特性、SiC MOSFET在LLC谐振变换器中的应用。
ZVSLLC
18
高频化挑战
高频开关下的驱动损耗、栅极振荡抑制、共模干扰问题。
栅极振荡共模干扰
19
并联均流技术
并联SiC MOSFET的静态与动态均流、栅极延迟匹配与布局优化。
均流延迟匹配
20
热管理基础
热阻网络模型、散热器选型、结温估算与热仿真方法。
热阻散热器
21
损耗与热耦合分析
基于电-热联合仿真的损耗迭代计算、稳态与瞬态热评估。
电热耦合瞬态热
22
栅极驱动IC选型
驱动IC的关键参数（峰值电流、隔离耐压、传播延迟）、主流芯片对比。
驱动IC隔离耐压
23
驱动电路设计
有源米勒钳位、负压关断、栅极保护电路设计实例。
米勒钳位负压关断
24
PCB布局要点
功率回路与驱动回路的最小化设计、Kelvin源极连接、多层板叠层策略。
Kelvin叠层
25
电磁兼容设计
开关节点dv/dt引起的共模电流、近场耦合抑制与滤波设计。
EMC共模电流
26
可靠性问题
栅极氧化层退化、阈值电压漂移、热载流子注入效应。
氧化层阈值漂移
27
短路特性
SiC MOSFET的短路耐受时间、短路检测与保护电路设计。
短路耐受保护电路
28
雪崩与浪涌能力
单脉冲雪崩能量EAS、重复雪崩能力、浪涌电流承受能力。
EAS浪涌
29
应用案例1：电动汽车牵引逆变器
电动汽车牵引逆变器中的SiC MOSFET损耗分析与效率优化。
牵引逆变器效率优化
30
应用案例2：数据中心服务器电源
数据中心服务器电源中SiC MOSFET的高频高效设计实例。
服务器电源高频高效