SiC晶圆制造工艺全流程实战
📚 共计 30 章节
01
SiC材料特性与市场前景
SiC物理化学特性 · 与Si对比优势 · 功率器件应用 · 全球市场格局
材料
市场
02
SiC衬底制备（长晶）
PVT原理 · 籽晶/坩埚设计 · 温场控制 · 微管/位错缺陷
长晶
PVT
03
SiC衬底加工
晶锭切割 · 研磨抛光 · CMP · AFM/XRD检测
加工
CMP
04
SiC外延生长
CVD原理 · 外延炉结构 · 温度/压力/流量 · 掺杂 · 三角形缺陷
外延
CVD
05
清洗与表面准备
RCA清洗 · Piranha · HF清洗 · 表面钝化 · 颗粒度控制
清洗
表面
06
光刻工艺（上）
正胶/负胶 · 旋涂烘烤 · 接触/步进式 · CD控制
光刻
涂胶
07
光刻工艺（下）
显影坚膜 · 套刻精度 · 缺陷（划痕/气泡） · 灰度光刻
显影
套刻
08
刻蚀工艺（干法）
ICP刻蚀 · SF6/O2 · 刻蚀速率/选择比 · 侧壁形貌
干法
ICP
09
刻蚀工艺（湿法）
湿法腐蚀 · KOH/HNO3+HF · 各向异性 · 去胶清洗
湿法
腐蚀
10
离子注入
注入原理 · Al/N杂质 · 能量/剂量 · 退火激活 · 损伤修复
注入
退火
11
欧姆接触
接触电阻 · Ni基接触 · 退火温度 · TLM测试
欧姆
TLM
12
肖特基接触
肖特基势垒 · Ni/Ti/Mo · 势垒调控 · 漏电流控制
肖特基
势垒
13
栅介质制备
热氧化 · PECVD/ALD · SiO2/SiC界面 · Dit优化 · 氮化
栅介质
ALD
14
金属化工艺
PVD/CVD · Lift-off/刻蚀 · Ti/Al、Ni/Au · 合金化
金属化
PVD
15
钝化与保护层
SiO2/Si3N4/聚酰亚胺 · 沉积 · 应力控制 · 开窗刻蚀
钝化
保护
16
减薄与背面工艺
机械研磨 · 背面金属化 · 背面肖特基/欧姆 · 激光退火
减薄
背面
17
划片与裂片
激光划片 · 机械划片 · 裂片工艺 · 芯片分离清洗
划片
裂片
18
封装工艺（上）
TO/SMD/模块 · Die Attach · 焊料/银烧结 · 引线键合
封装
键合
19
封装工艺（下）
塑封/灌封 · 陶瓷封装 · 温度循环/HTRB/功率循环
塑封
可靠性
20
器件测试（直流）
I-V特性 · 击穿/阈值电压 · 导通电阻 · 漏电流 · 探针台
直流
I-V
21
器件测试（交流与开关）
C-V · 栅电荷 · 开关特性 · 反向恢复
交流
开关
22
可靠性测试
HTGB · HTRB · TCT · 功率循环 · ESD
可靠性
HTRB
23
缺陷检测与失效分析
OM/SEM/TEM · FIB · 光致发光(PL)
检测
FIB
24
良率提升与SPC
良率计算 · CPK/SPC · 帕累托分析 · DOE
良率
SPC
25
SiC MOSFET工艺整合
平面/沟槽栅 · JFET区 · 源极接触 · 元胞设计
MOSFET
整合
26
SiC SBD工艺整合
肖特基结构 · 场板 · JTE · 保护环
SBD
JTE
27
SiC模块工艺
多芯片并联 · 均流 · DBC基板 · 烧结银 · 散热
模块
DBC
28
车规级认证与标准
AEC-Q101 · 车规可靠性 · PPAP · FMEA
车规
AEC
29
SiC制造环保与安全
SiH4/PH3安全 · 化学品处理 · 废水 · 洁净室
安全
环保
30
未来趋势与挑战
8英寸衬底 · 沟槽栅 · SiC on Si · GaN混合集成 · 降本
趋势
8英寸