01
MEMS麦克风概述
工作原理 · 与传统驻极体对比 · 应用领域
基础概念
02
声学基础回顾
声压/声强/声功率 · SPL · 分贝 · 频率波长
声学必备
03
核心参数(一)：灵敏度
定义 · dBV/Pa · 典型值 · 与SNR关系
参数灵敏度
04
核心参数(二)：信噪比SNR
定义 · 计算方法 · 典型值 · 录音质量影响
SNR噪声
05
核心参数(三)：等效输入噪声EIN
定义 · 与SNR关系 · 评估底噪水平
EIN底噪
06
核心参数(四)：最大声学输入AOP
dB SPL · THD与AOP关系
AOP失真
07
核心参数(五)：动态范围
定义 · 计算 · 与SNR/AOP关系
动态范围
08
核心参数(六)：频率响应
平坦度 · 低频滚降 · 高频谐振峰
频响带宽
09
核心参数(七)：指向性
全向/定向 · MEMS典型指向性模式
指向性模式
10
核心参数(八)：电源抑制比PSRR
单位dB · 对电源噪声抑制能力
PSRR电源
11
核心参数(九)：声学过载点
与AOP区别 · 强声环境表现
过载强声
12
核心参数(十)：相位响应
群延迟 · 相位一致性 · 阵列应用
相位阵列
13
封装声学设计
前腔/后腔 · 声学端口 · 密封与泄漏
封装声学
14
声学仿真基础
集总参数模型 · 等效电路 · 工具介绍
仿真COMSOL
15
声学仿真进阶
FEA应用 · 网格划分 · 边界条件
FEA有限元
16
频率响应优化
谐振调整 · 阻尼材料 · 腔体尺寸
优化频响
17
信噪比优化
降低机械热噪声 · 背板设计 · 灵敏度平衡
SNR低噪声
18
最大声学输入优化
提高AOP · 限制膜片位移 · 防非线性
AOP高声压
19
电源噪声抑制设计
PSRR提升 · 片上电容 · 去耦选择
电源去耦
20
阵列声学设计
几何布局 · 波束形成 · 阵列增益
阵列波束
21
阵列应用
Delay-and-Sum · MVDR · 声源定位
算法语音
22
可靠性设计
湿度/颗粒防护 · 振动鲁棒性 · ESD
可靠性防护
23
测试与测量
消声室 · 耦合腔 · B&K系统 · IEC 61094
测试标准
24
参数测量方法
灵敏度/频响/SNR/THD/AOP测量
测量方法
25
数据手册解读
参数表 · 应用笔记 · 极限/推荐条件
手册选型
26
选型指南
手机 · TWS · 智能音箱 · 助听器
选型场景
27
与ASIC集成设计
偏置/放大/ADC · 封装集成 · 系统噪声
ASIC集成
28
TWS耳机应用
前馈/反馈降噪 · 风噪抑制 · 语音唤醒
TWS降噪
29
智能音箱应用
远场拾音 · 回声消除 · 多麦克风融合
智能音箱远场
30
未来趋势
更高SNR · 更小封装 · 数字接口 · AI集成
趋势AI