01
压阻效应原理
压阻系数、晶向选择、掺杂浓度对灵敏度的影响
晶向掺杂
02
硅片选型与清洗
N型/P型硅片选择、标准RCA清洗、表面质量控制
RCA表面
03
氧化工艺
干氧/湿氧氧化、氧化层厚度控制、掩蔽层设计
干氧湿氧
04
光刻工艺
光刻胶选择（正胶/负胶）、涂胶厚度、曝光显影参数优化
正胶负胶
05
扩散掺杂
硼扩散/磷扩散、扩散温度与时间、结深与方块电阻
硼磷
06
离子注入
注入能量与剂量选择、退火工艺、注入损伤修复
退火剂量
07
压阻图形设计
惠斯通电桥布局、电阻条长宽比、版图设计规则
电桥版图
08
LPCVD氮化硅
沉积温度与压力、应力控制、钝化层作用
LPCVD应力
09
PECVD氧化硅
低温沉积工艺、台阶覆盖性、介质层质量
PECVD台阶
10
金属化工艺
溅射铝/金、欧姆接触形成、合金化温度
溅射欧姆
11
背面腐蚀
KOH/TMAH湿法腐蚀、腐蚀速率控制、腐蚀停止层
KOHTMAH
12
干法刻蚀
RIE/DRIE工艺、刻蚀速率与选择比、侧壁形貌控制
RIEDRIE
13
硅-硅键合
直接键合、阳极键合、键合强度与气密性
键合气密
14
玻璃-硅键合
Pyrex玻璃匹配、静电键合参数、热应力管理
Pyrex静电
15
划片与封装
划片道设计、芯片分离、TO/陶瓷封装
划片封装
16
引线键合
金丝/铝丝键合、键合参数优化、拉力测试
金丝拉力
17
真空封装
真空度要求、吸气剂选择、长期稳定性
真空吸气剂
18
温度补偿
零位温漂、灵敏度温漂、有源/无源补偿电路
温漂补偿
19
标定与测试
压力标定系统、灵敏度/线性度/迟滞测试
标定线性度
20
可靠性测试
温度循环、压力循环、高温存储、湿度测试
循环存储
21
工艺一致性
片内均匀性、片间均匀性、批次一致性控制
均匀性批次
22
灵敏度优化
膜片厚度设计、压阻位置优化、应力集中结构
膜片应力
23
线性度改善
膜片边缘效应、电阻非线性、电路补偿
边缘补偿
24
迟滞与重复性
材料迟滞机理、工艺应力释放、测试方法
迟滞重复性
25
过载保护
机械止挡设计、过压保护结构、可靠性提升
止挡过压
26
小型化设计
芯片尺寸缩小、集成化趋势、MEMS与ASIC集成
MEMSASIC
27
高频响应
膜片固有频率、阻尼控制、动态压力测量
频率阻尼
28
低功耗设计
电阻阻值优化、工作电压降低、间歇工作模式
低功耗间歇
29
耐腐蚀设计
隔离膜片、填充液选择、特殊环境应用
隔离填充液
30
工艺整合与流片
工艺流程整合、光刻版设计、流片注意事项
流片光刻版