01
硅光调制器概述
从电光效应到马赫-曾德尔干涉仪，理解硅光调制器的基本工作原理与分类。
电光效应MZI
02
驱动电路核心指标
带宽、摆幅、线性度、功耗——这些参数如何影响调制器性能？
带宽线性度
03
共模与差模驱动
为什么差分驱动是高速硅光调制的首选？共模点如何设置？
差分共模
04
晶体管选型
CMOS vs BiCMOS vs SiGe HBT，哪种工艺更适合你的驱动需求？
BiCMOSSiGe
05
单端驱动电路设计
从简单的反相器链到CML驱动器，一步步构建基础驱动级。
CML反相器
06
差分驱动电路设计
CML差分对的结构、偏置与摆幅控制，如何实现50Ω阻抗匹配？
差分对50Ω
07
预加重与均衡技术
为什么要预加重？CTLE和FFE在驱动电路中的应用。
CTLEFFE
08
输出级设计
大摆幅输出级的挑战，如何驱动MZM的容性负载？
大摆幅容性负载
09
带宽拓展技术
T-Coil、Peaking Inductor、Cherry-Hooper结构，带宽不够怎么办？
T-CoilCherry-Hooper
10
线性度与失真
IMD3、SFDR、OIP3，这些指标在驱动电路设计中如何权衡？
IMD3SFDR
11
噪声分析与低噪声设计
驱动电路的噪声源有哪些？如何优化信噪比？
噪声SNR
12
电源管理与纹波抑制
LDO供电、电源抑制比(PSRR)，如何保证干净的电源轨？
LDOPSRR
13
温度补偿与PVT鲁棒性
工艺角、电压、温度变化下，如何保持驱动性能稳定？
PVT温度补偿
14
偏置电路设计
电流镜、带隙基准、偏置电压产生，为驱动级提供稳定的工作点。
电流镜带隙基准
15
输入接口与ESD保护
CML输入、共模电压范围、ESD结构对信号完整性的影响。
ESDCML输入
16
阻抗匹配与S参数
回波损耗、插入损耗、TDR，如何实现50Ω宽带匹配？
S参数TDR
17
封装与寄生效应
键合线、倒装焊、TSV，封装寄生如何影响高频性能？
键合线TSV
18
片上测试与表征
眼图、浴盆曲线、BER测试，如何评估驱动电路的实际性能？
眼图BER
19
与调制器的协同设计
驱动输出摆幅与MZM Vπ的匹配，RC时间常数如何优化？
VπRC常数
20
功耗优化技术
动态电压调节、自适应偏置、关断模式，如何做到能效最优？
DVS自适应
21
多通道驱动阵列
面向WDM和并行光互连，如何设计低串扰的多通道驱动？
WDM低串扰
22
高速PCB与封装设计
传输线、过孔、去耦电容，布局布线中的高频设计要点。
传输线去耦
23
电磁兼容与串扰抑制
屏蔽、差分走线、隔离，如何减少通道间干扰？
EMC隔离
24
驱动电路建模与仿真
Verilog-A行为模型、EM仿真、瞬态与AC分析。
Verilog-AEM仿真
25
先进调制格式支持
PAM4、DMT、OFDM，驱动电路如何适应高阶调制？
PAM4OFDM
26
硅光集成工艺兼容性
驱动电路与硅光芯片的异质集成、单片集成方案。
异质集成单片
27
可靠性设计与寿命评估
EM、HCI、TDDB，驱动电路的长期可靠性如何保证？
EMHCI
28
典型应用案例
400G/800G光模块中的硅光驱动方案，从设计到量产的经验分享。
400G800G
29
前沿技术趋势
薄膜铌酸锂、BTO、石墨烯调制器，下一代驱动电路面临的新挑战。
薄膜铌酸锂石墨烯
30
课程总结与设计实战
从需求分析到流片验证，完整走一遍硅光驱动电路的设计流程。
流片设计实战