第1章
辐射环境与单粒子效应概述
空间辐射环境 · SEU/SEL/SEFI/SEGR/SEB · 芯片影响
银河宇宙射线范艾伦质子事件
第2章
单粒子效应物理机制
电离/位移效应 · 漏斗/扩散/漂移收集 · Qcrit
高能粒子电荷收集临界电荷
第3章
工艺加固技术基础
SOI · 三阱 · 深亚微米加固 · 工艺参数影响
SOI三阱深亚微米
第4章
版图加固技术
环形栅ELT · 保护环 · 间距规则 · 冗余接触孔
ELTGuard Ring冗余通孔
第5章
电路级加固技术 (上)
DICE · TMR · HIT锁存器
DICE三模冗余HIT
第6章
电路级加固技术 (下)
SEU加固触发器 · SEL/SEGR/SEB加固
C-Element电流限制电源钳位
第7章
系统级加固技术
看门狗 · ECC(汉明/BCH) · 指令重试 · 冗余架构
WDTECC回滚
第8章
EDA工具与仿真方法 (上)
双指数电流源 · 混合模式TCAD+SPICE · Sentaurus
SPICETCADSentaurus
第9章
EDA工具与仿真方法 (下)
HSPICE/Finesim SEU仿真 · Redhawk IR Drop · STA
FinesimRedhawk时序裕度
第10章
抗辐射标准与测试方法
MIL-STD-883 · JESD57 · 重离子/质子 · 激光脉冲
MIL-STDJESD57激光测试
第11章
单粒子效应软错误率 (SER) 计算
SER公式 · Weibull拟合 · JESD89 · 影响因素
WeibullJESD89软错误率
第12章
存储单元加固设计
SRAM 10T/12T · 寄存器文件 · ROM · CAM加固
10T12TCAM
第13章
组合逻辑加固设计
SET传播 · 脉冲宽度 · C-Element/BISER · 标准单元
SETBISER屏蔽效应
第14章
时钟与复位网络加固
时钟树SET · 抗辐射缓冲器 · 复位毛刺过滤 · 门控加固
时钟树毛刺过滤门控
第15章
锁相环 (PLL) 与高速接口加固
相位偏移 · 加固PLL · SerDes · ESD/SEU协同
PLLSerDesESD
第16章
模拟与混合信号电路加固
带隙基准 · 运放 · ADC/DAC · 模拟开关SEL
带隙ADC模拟开关
第17章
片上系统 (SoC) 加固架构
抗辐射SoC · AMBA AHB/AXI ECC · 内存控制器 · DMA
SoCAMBADMA
第18章
电源管理单元 (PMU) 加固
LDO SEB/SEGR · DC-DC · 电源域隔离 · POR
LDODC-DCPOR
第19章
抗辐射芯片的物理设计
布局规划 · 电源网络 · 热效应耦合 · 封装考量
去耦电容热效应封装
第20章
抗辐射芯片的验证策略
故障注入 · 形式化验证 · 辐射感知STA · 物理验证
故障注入形式化Radiation-Aware
第21章
抗辐射芯片的可测试性设计 (DFT)
扫描链加固 · BIST · JTAG · 测试模式辐射效应
扫描链BISTJTAG
第22章
抗辐射芯片的可靠性评估
寿命加速 · 统计分布 · FIT/MTTF · OBIRCH/EMMI
FITMTTF失效分析
第23章
先进工艺节点下的挑战
FinFET · 7nm/5nm · 机器学习 · MRAM/RRAM
FinFET7nmMRAM
第24章
抗辐射芯片设计实例 (一)
星载处理器 · 架构决策 · 关键模块加固 · 测试分析
星载处理器加固决策
第25章
抗辐射芯片设计实例 (二)
大容量存储器 · 存储阵列 · 译码器/灵敏放大器 · 冗余修复
存储器译码器冗余
第26章
抗辐射芯片设计实例 (三)
电源管理芯片 · 高压SEGR · 电流检测SEL · 性能权衡
PMIC高压SEL
第27章
抗辐射芯片的流片与封装
晶圆工艺 · 封装屏蔽 · 陶瓷vs塑料 · 筛选考核
流片陶瓷封装筛选
第28章
抗辐射芯片的应用系统设计
板级EDAC/看门狗 · 冷热备份 · N版本编程 · 系统测试
EDAC冷备份N版本
第29章
抗辐射芯片的成本与周期控制
面积功耗影响 · 流片成本 · 设计周期 · 平台化复用
成本设计复用平台化
第30章
未来趋势与前沿技术
AI预测 · 负电容FET · 量子抗辐射 · RISC-V太空生态
AI负电容RISC-V