第01章
抗辐照芯片概述
什么是抗辐照芯片 · 空间辐射环境与效应 · 应用领域与重要性
基础概念辐射环境
第02章
辐射效应基础 · 总剂量/单粒子/位移损伤
TID · SEE · DDD 物理机制与影响
核心效应物理机制
第03章
单粒子效应详解
SEU · SEL · SET · SEB 机制与案例
SEE闩锁烧毁
第04章
总剂量效应(TID)详解
阈值漂移 · 漏电流 · 时序退化
TID退化
第05章
位移损伤效应(DDD)详解
少子寿命 · 暗电流 · 增益下降
DDD位移损伤
第06章
工艺加固(RHBP)
SOI · SOS · 特殊掺杂与版图设计
工艺SOI
第07章
电路加固(RHBD)
三模冗余(TMR) · 纠错码(ECC) · 看门狗
TMRECC
第08章
系统级加固
屏蔽 · 滤波 · 降额 · 软件容错
系统容错
第09章
版图级加固
环形栅 · 保护环 · 隔离环 · 冗余接触孔
版图抗辐照
第10章
抗辐照芯片制造工艺
特殊节点 · 抗辐照工艺库 · 流片注意事项
制造流片
第11章
抗辐照芯片测试基础
测试设备 · 辐射源(钴源/质子/重离子/中子) · 测试板
测试辐射源
第12章
总剂量效应(TID)测试方法
辐照/退火流程 · 剂量率 · 参数判据
TID测试退火
第13章
单粒子效应(SEE)测试方法
重离子 · 质子 · 激光 · 数据采集
SEE测试重离子
第14章
位移损伤效应(DDD)测试方法
中子/质子辐照 · 条件与参数监测
DDD测试中子
第15章
可靠性评估 · 失效率与寿命
失效率计算 · 加速老化模型(Arrhenius/Coffin-Manson)
可靠性加速模型
第16章
统计方法与置信度
威布尔 · 对数正态 · 卡方分布
统计置信度
第17章
筛选试验与批次一致性
老炼 · 温度循环 · PIND测试
筛选一致性
第18章
认证标准体系
MIL-STD-883/750 · ESA ESCC · JEDEC
标准MILESCC
第19章
MIL-STD-883详解
方法1019(TID) · 1020(SEE) · 1021(DDD)
MIL883测试方法
第20章
ESA ESCC标准详解
ESCC 22900(TID) · 25100(SEE)
ESAESCC
第21章
认证流程 · 等级划分
QML Q/V · Class Y/S · Space Level · 计划制定
认证等级QML
第22章
认证文档准备
辐射保证计划(RAM) · 测试报告 · 可靠性报告
文档RAM
第23章
第三方实验室与成本控制
实验室选择 · 审核 · 认证周期与成本
实验室成本
第24章
典型抗辐照芯片产品
FPGA · SRAM · ADC · DC-DC转换器
产品FPGAADC
第25章
成功认证案例分享
从设计到认证的全流程复盘
案例成功
第26章
失败案例与教训
设计缺陷 · 测试异常 · 认证不通过原因
失败教训
第27章
先进工艺抗辐照挑战
FinFET · GAA · 新型加固技术
FinFETGAA
第28章
COTS器件抗辐照评估
商业现货筛选策略 · 评估方法
COTS筛选
第29章
AI/ML在抗辐照设计中的应用
机器学习辅助加固 · 智能评估
AI机器学习
第30章
课程总结与展望
技术路线图 · 行业需求 · 职业发展建议
总结职业