01
辐射环境与效应基础
空间辐射环境 · 相互作用机理 · TID/SEE/DDD
银河宇宙射线单粒子效应
02
工艺加固技术总览
RHBP核心思想 · 设计加固协同 · 方法学概述
系统级版图级RHBD
03
SOI工艺基础
埋氧层隔离 · 浮体效应 · 体硅对比
UNIBOND自加热
04
SOI工艺加固实战
体接触 · H型栅 · STI边缘漏电抑制
SIMOXT型栅
05
三阱工艺加固技术
深N阱 · 单粒子闩锁抑制 · 混合信号
DNWSEL
06
栅氧化层加固技术
SiON/HKMG · RTO/RTP · 总剂量优化
高K金属栅氮氧化硅
07
场氧化层与隔离加固
LOCOS/STI对比 · 倾斜注入 · 边角漏电修复
寄生漏电氮化硅衬垫
08
沟道工程与掺杂优化
Halo/Pocket · 浅结 · 抗辐射LDD
退火工艺掺杂分布
09
接触孔与金属化加固
钨塞 · 电迁移协同 · Cu/Al互连选择
W-PlugEM
10
ESD与闩锁加固
GGNMOS/SCR · 维持电压提升 · I/O抗闩锁
ESDVh
11
抗辐射存储器工艺加固
SRAM电阻/电容加固 · ROM · Flash/MRAM
SEU非易失
12
模拟与混合信号工艺加固
Poly电阻 · MIM电容 · 带隙基准源
BJT精密电阻
13
抗辐射BCD工艺
LDMOS/VDMOS · PN结/介质隔离 · 智能功率
BCD功率器件
14
SiGe BiCMOS工艺加固
SiGe HBT · 电流增益优化 · 空间通信
宽禁带β
15
GaN工艺加固
GaN HEMT · 质子/重离子 · SEB加固
射频功率
16
工艺加固的版图设计技术
栅条方向 · 保护环 · 冗余接触孔 · DFM
Guard Ring可制造性
17
工艺加固的TCAD仿真
陷阱电荷模型 · TID/SEE仿真 · 敏感性分析
Technology CAD界面态
18
工艺加固的测试结构设计
PCM · TID/SEU测试结构 · 数据分析
测试结构版图
19
抗辐射工艺的可靠性评估
NBTI/HCI协同 · 加速寿命 · 良率权衡
可靠性寿命
20
抗辐射工艺的流片与制造
MPW/Full Mask · Cpk · 辐射验收测试
流片工艺控制
21
抗辐射工艺的封装加固
陶瓷/金属封装 · 屏蔽技术 · 总剂量防护
封装屏蔽
22
抗辐射工艺的供应链管理
Foundry评估 · 工艺转移 · IP核 · 成本控制
供应链晶圆厂
23
抗辐射工艺的标准化与认证
MIL-STD-883 · ESCC · JEDEC · RHA等级
认证硬度保证
24
先进节点挑战 (7nm/5nm)
FinFET/GAA · SET · 多节点翻转
先进节点MNU
25
机器学习在工艺加固中的应用
参数优化 · 预测模型 · Auto-RHBP
AI大数据
26
3D集成与TSV加固
3D IC辐射效应 · TSV加固 · 异构集成
硅通孔堆叠存储器
27
宽禁带半导体 (SiC/GaN)
SiC功率 · GaN对比 · 空间电源 · 测试标准
SiC宽禁带
28
量子计算抗辐射工艺
超导量子比特 · 硅基量子点 · 量子纠错
量子比特辐射敏感性
29
太空在轨验证
SpaceX/ISS实验 · 辐射监测 · 迭代优化
在轨验证
30
未来趋势与国产化路径
二维材料 · AI自动化 · 生态构建
钙钛矿国产化