01
量子芯片制造全景
从硅基到超导，量子芯片的工艺路线对比与良率挑战概述。
全景路线
02
良率核心指标
T1、T2、读取保真度、门保真度——量子比特性能的量化标准。
指标保真度
03
工艺波动分析
约瑟夫森结的制造公差如何影响超导量子比特的一致性。
波动约瑟夫森结
04
材料缺陷管理
衬底中的二能级系统（TLS）噪声源识别与抑制策略。
缺陷TLS
05
光刻与对准
多层超导电路中的套刻精度控制与缺陷检测。
光刻套刻
06
刻蚀工艺优化
各向异性刻蚀对量子比特电容结构的关键影响。
刻蚀各向异性
07
薄膜沉积技术
铝/铌薄膜的应力控制与表面粗糙度管理。
薄膜应力
08
空气桥与交叉线
三维集成中的寄生参数控制与良率提升。
三维集成寄生
09
封装与互连
倒装焊工艺对量子芯片热管理与信号完整性的影响。
封装倒装焊
10
低温测试筛选
稀释制冷机中的自动化晶圆级测试方案。
低温测试
11
统计过程控制（SPC）
在量子芯片产线中建立关键工艺参数的监控体系。
SPC监控
12
设计-工艺协同优化（DTCO）
通过版图调整补偿工艺偏差。
DTCO版图
13
冗余与容错设计
利用多比特架构提升系统级良率。
冗余容错
14
机器学习在良率预测中的应用
基于工艺数据的缺陷模式识别。
机器学习预测
15
失效分析技术
从低温I-V曲线到扫描SQUID显微镜的故障定位。
失效分析SQUID
16
洁净室管理
颗粒污染对超导量子电路的关键影响与控制。
洁净室颗粒
17
工艺稳定性提升
通过实验设计（DOE）优化关键工艺窗口。
DOE稳定性
18
量子比特频率排布
避免频率冲突的工艺调谐与良率关系。
频率排布
19
耦合器工艺一致性
可调耦合器对两比特门保真度的良率影响。
耦合器一致性
20
读取谐振腔工艺
高品质因子谐振腔的制造良率控制。
谐振腔Q值
21
通孔与TSV工艺
高深宽比刻蚀在量子芯片三维集成中的挑战。
TSV深宽比
22
离子注入与掺杂
硅基量子点中磷原子定位的精度控制。
离子注入掺杂
23
栅极堆栈工艺
CMOS兼容量子点的栅极氧化层质量与噪声抑制。
栅极CMOS
24
硅锗异质结
量子阱中空穴自旋比特的应变工程与良率。
SiGe应变
25
金刚石NV色心
氮空位中心的定位精度与相干时间优化。
NV色心金刚石
26
拓扑量子比特
马约拉纳零模的工艺实现与验证挑战。
拓扑马约拉纳
27
光子量子芯片
硅基光波导与片上纠缠源的制造良率。
光子波导
28
供应链管理
超导材料与特种气体的纯度对良率的隐性影响。
供应链纯度
29
良率提升路线图
从单比特到千比特规模的工艺演进路径。
路线图规模化
30
实战案例复盘
一次完整的量子芯片良率提升项目从诊断到闭环。
案例复盘