01
TSV技术概述
什么是TSV · 3D封装核心作用 · 制造工艺流程简介
基础概念
02
深宽比（Aspect Ratio）定义
数学定义 · 对TSV性能影响 · 典型深宽比范围
核心参数
03
电镀均匀性基础
电镀原理 · 电流密度分布 · 添加剂作用机制
电化学
04
仿真工具介绍
COMSOL · ANSYS · Coventor对比 · 仿真流程概览
软件对比
05
几何模型建立
孔径/深度/间距参数化 · 对称边界条件
建模
06
物理场耦合设置
电流场与物质传递场耦合 · 电化学动力学参数
多物理场
07
网格划分策略
边界层网格 · 自适应网格 · 网格无关性验证
网格精度
08
深宽比对电流密度分布的影响
仿真结果 · 电流集中效应 · 量化关系
分析
09
深宽比对电镀速率的影响
沉积速率分布 · 底部填充效果评估
速率
10
深宽比对均匀性指数的影响
均匀性指数定义 · 拟合曲线
均匀性
11
工艺参数对均匀性的影响
电流密度 · 温度 · 添加剂浓度影响
工艺
12
多物理场耦合仿真
流场 · 温度场对电镀均匀性的综合影响
耦合
13
仿真结果验证
实验对比 · 误差分析 · 模型校准
验证
14
参数化扫描分析
深宽比 · 电流密度 · 添加剂多参数扫描
扫描
15
响应面法优化
DOE设计 · 响应面模型 · 最优参数预测
优化
16
机器学习辅助优化
神经网络预测均匀性 · 遗传算法寻优
AI前沿
17
TSV电镀缺陷分析
空洞 · 缝隙 · 凸起等缺陷仿真复现
缺陷
18
不同深宽比下的缺陷类型
低/中/高深宽比缺陷特征
分类
19
脉冲电镀仿真
脉冲参数影响 · 占空比与频率优化
脉冲
20
反向脉冲电镀仿真
反向脉冲整平作用 · 仿真与实验对比
反向脉冲
21
添加剂协同作用仿真
抑制剂 · 加速剂 · 整平剂竞争吸附模型
添加剂
22
TSV阵列电镀均匀性
阵列布局影响 · 边缘效应与中心效应
阵列
23
晶圆级电镀均匀性
晶圆边缘与中心差异 · 旋转电极影响
晶圆级
24
深宽比与电镀时间的关联
填充时间数学模型 · 工艺窗口确定
时间
25
成本与效率分析
不同深宽比电镀成本 · 产能评估
经济
26
先进TSV技术
超高深宽比(>10:1)挑战与解决方案
前沿
27
玻璃通孔（TGV）电镀
与硅通孔区别 · 深宽比影响对比
TGV
28
仿真报告撰写
结果可视化 · 数据解读 · 结论提炼
报告
29
案例分析
典型TSV电镀均匀性问题诊断与优化
实战
30
课程总结与展望
TSV电镀技术发展趋势 · 未来研究方向
总结