01
混合信号芯片概述
定义与分类、应用领域（物联网、汽车电子、通信）、技术发展趋势
基础趋势
02
设计流程总览
从规格定义到芯片量产的全生命周期、关键里程碑与交付物
流程里程碑
03
工艺与器件基础
CMOS工艺简介、模拟与数字器件的差异、工艺角（PVT）对设计的影响
工艺PVT
04
系统架构设计
顶层架构规划、模拟与数字分区策略、功耗与面积预算
架构分区
05
行为级建模与仿真
Verilog-AMS与SystemVerilog简介、顶层行为级仿真验证、模型精度与速度的权衡
建模AMS
06
模拟电路设计（上）
运算放大器、比较器、带隙基准源的设计要点与仿真
运放基准
07
模拟电路设计（下）
数据转换器（ADC/DAC）基础、锁相环（PLL）与时钟生成
ADCPLL
08
数字电路设计（上）
RTL编码风格与规范、同步与异步设计、时钟域交叉（CDC）处理
RTLCDC
09
数字电路设计（下）
状态机设计、低功耗设计技术（时钟门控、电源门控）、数字后端流程简介
低功耗后端
10
数模混合接口设计
电平转换、ESD保护、I/O Pad设计、模拟与数字的隔离技术
接口ESD
11
版图设计（Layout）
模拟版图匹配技术、数字自动布局布线、天线效应与闩锁效应预防
版图匹配
12
物理验证
DRC、LVS、ERC检查、密度检查与金属填充
DRCLVS
13
寄生参数提取
RC提取原理、对模拟与数字性能的影响、后仿真准备
寄生RC
14
前仿真与后仿真
模拟电路前仿、数字门级仿真、带寄生参数的后仿对比
前仿后仿
15
数模混合仿真
混合信号仿真器原理（Spectre AMS、Xcelium）、数模接口模型（Real Number Model）
AMSRNM
16
静态时序分析（STA）
时序约束、建立/保持时间检查、片上变异（OCV）分析
STAOCV
17
功耗与热分析
动态与静态功耗计算、IR Drop分析、热仿真与散热设计
功耗热
18
可靠性设计
老化效应（NBTI/HCI）、电迁移（EM）、软错误与加固技术
老化EM
19
可测试性设计（DFT）
扫描链插入、BIST（内建自测试）、模拟测试总线
DFTBIST
20
封装设计
封装类型选择（BGA、QFN、CSP）、键合与倒装工艺、封装寄生建模
封装寄生
21
测试与特性化
ATE测试程序开发、良率分析、特性化测试与参数提取
ATE良率
22
设计文档与版本管理
设计规范文档、Revision Control（Git）、设计评审流程
Git文档
23
项目管理与团队协作
混合信号团队分工、项目计划制定、跨部门沟通技巧
管理协作
24
EDA工具链
主流工具介绍（Cadence、Synopsys、Mentor）、工具流程集成与自动化
EDA自动化
25
低功耗混合信号设计
亚阈值设计、动态电压频率调整（DVFS）、电源管理单元（PMU）设计
低功耗DVFS
26
射频混合信号设计
射频前端架构、低噪声放大器（LNA）、混频器与射频版图考虑
射频LNA
27
安全与加密芯片设计
物理不可克隆函数（PUF）、侧信道攻击防护、安全岛设计
安全PUF
28
先进工艺节点挑战
FinFET与GAA器件特性、先进工艺下的模拟设计挑战、设计规则复杂性
FinFETGAA
29
车规级混合信号设计
AEC-Q100标准、功能安全（ISO 26262）、冗余与容错设计
车规ISO26262
30
流片与量产经验
Tape-out检查清单、晶圆厂沟通、量产测试与良率提升案例
流片量产