01
课程导论与流程全景
什么是寄生参数？为什么需要提取？后仿真在整个芯片设计流程中的位置。
全景概念
02
寄生参数物理基础
电阻、电容、电感的寄生效应来源，互连线的RC模型。
物理RC模型
03
版图设计与寄生关系
版图几何形状（线宽、间距、层次）如何影响寄生参数。
版图几何
04
工艺文件与PDK基础
了解工艺文件中的RC参数，PDK中的寄生参数模型。
PDK工艺
05
寄生参数提取工具概览
主流工具介绍（StarRC、QRC、Calibre xACT等）及选型考量。
工具选型
06
提取流程第一步：输入文件准备
版图GDS、网表、工艺文件、规则文件（ITF/ICT/nxtgrd）。
GDS规则
07
提取流程第二步：提取命令与设置
提取模式（RCC/RCL）、精度设置、耦合电容提取。
命令精度
08
提取流程第三步：输出文件格式
DSPF、SPEF、SDF等格式详解与适用场景。
SPEF格式
09
寄生参数网表反标
如何将提取的寄生参数反标回原始网表，形成带寄生网表。
反标网表
10
后仿真环境搭建
仿真器选择（HSPICE、Spectre、FineSim），激励与测试平台准备。
环境仿真器
11
晶体管级后仿真
对标准单元、模拟模块进行晶体管级后仿，验证性能变化。
晶体管模拟
12
门级后仿真
对数字模块进行门级后仿，检查时序与功能。
门级时序
13
时序分析与寄生参数
静态时序分析（STA）如何读取SPEF文件，寄生参数对时序的影响。
STASPEF
14
信号完整性（SI）与寄生
串扰噪声、IR Drop与寄生参数的关系，后仿真中的SI分析。
SI串扰
15
功耗分析与寄生
动态功耗、短路功耗与寄生电容的关系，后仿真中的功耗评估。
功耗动态
16
模拟电路后仿真专题
运放、LDO、PLL等模拟模块的后仿注意事项与调试技巧。
模拟调试
17
数字电路后仿真专题
大规模数字芯片的后仿策略，门级仿真加速方法。
数字加速
18
存储器（SRAM/ROM）后仿真
存储阵列的寄生提取特殊性，读/写时序的后仿验证。
存储器时序
19
IO与ESD电路后仿真
IO接口的寄生模型，ESD器件的后仿挑战。
IOESD
20
温度与工艺角对寄生的影响
不同PVT条件下寄生参数的变化，后仿真的覆盖策略。
PVT工艺角
21
寄生参数优化方法
版图优化（加宽线宽、增加间距、屏蔽层）对寄生的改善。
优化版图
22
提取结果分析与Debug
常见提取错误（开路、短路、漏提），如何定位与修复。
Debug开路
23
后仿真与实测对比
流片后测试数据与后仿真结果的偏差分析，模型校准。
实测校准
24
层次化提取技术
大型芯片的分层提取策略，顶层与子模块的拼接。
层次化拼接
25
电磁仿真与寄生提取
针对高频/射频电路，使用电磁仿真工具（HFSS、EMX）进行高精度提取。
电磁射频
26
先进工艺节点下的寄生挑战
FinFET、GAA等新结构带来的寄生效应，BEOL RC退化。
FinFETGAA
27
EDA脚本自动化
使用Tcl/Perl/Python脚本自动化提取流程与后仿真回归。
脚本自动化
28
后仿真数据管理与版本控制
如何管理不同版本、不同工艺角的后仿真结果。
版本管理
29
项目实战案例一：28nm数字模块
28nm工艺下数字模块的后仿真全流程。
28nm实战
30
项目实战案例二：模拟IP (Bandgap)
模拟IP（如Bandgap）的后仿真与问题修复。
Bandgap修复