01
功率开关损耗概述
开关损耗的定义、产生机理、在电源系统中的重要性。
基础概念损耗起源
02
理想开关与真实开关
理想开关特性、真实功率器件的非理想特性、开关瞬态过程。
对比分析瞬态
03
MOSFET结构与工作原理
物理结构、导通与关断原理、主要参数（Rds(on)、Vth、Qg）。
MOSFET参数
04
MOSFET开关过程分析
米勒效应详解、开通与关断波形、电压电流重叠损耗。
米勒效应波形
05
MOSFET开关损耗计算
开通损耗公式推导、关断损耗公式推导、总损耗计算模型。
公式模型
06
MOSFET损耗影响因素
驱动电阻影响、栅极电压影响、温度影响、电流电压影响。
驱动温度
07
IGBT结构与工作原理
物理结构、导通与关断原理、主要参数（Vce(sat)、Eon、Eoff）。
IGBT参数
08
IGBT开关过程分析
拖尾电流现象、开通与关断波形、IGBT特有的损耗特性。
拖尾电流特性
09
IGBT开关损耗计算
基于数据手册的损耗估算、Eon/Eoff曲线查表法、温度修正。
数据手册查表
10
SiC MOSFET特性
宽禁带半导体优势、SiC MOSFET开关特性、与Si器件的对比。
SiC宽禁带
11
GaN HEMT特性
GaN器件结构、开关速度优势、级联结构（Cascode）与增强型（E-mode）。
GaN高频
12
寄生参数影响
寄生电感对开关损耗的影响、寄生电容的影响、PCB布局优化。
寄生PCB
13
开关损耗测量方法
双脉冲测试原理、测试电路搭建、波形解读与损耗提取。
双脉冲测量
14
双脉冲测试实操
测试平台搭建步骤、示波器设置要点、测量结果分析。
实操示波器
15
热阻与结温计算
热阻模型、结温估算、开关损耗与热管理的关联。
热管理结温
16
损耗仿真基础
SPICE模型介绍、仿真软件选择（LTspice、Simplis）、仿真流程。
SPICE仿真
17
MOSFET SPICE模型
Level 1/3模型、厂商提供的模型、模型参数提取。
Level参数提取
18
IGBT SPICE模型
Heffner模型、厂商模型库使用、模型精度验证。
Heffner精度
19
驱动电路建模
驱动芯片模型、栅极电阻建模、驱动回路寄生参数。
驱动栅极
20
功率回路建模
母线电容模型、PCB寄生参数提取、功率电感模型。
功率回路寄生
21
开关损耗仿真案例（Buck）
Buck电路拓扑、同步整流开关损耗、仿真与计算对比。
Buck同步整流
22
开关损耗仿真案例（Boost）
Boost电路拓扑、连续模式与断续模式损耗差异。
BoostCCM/DCM
23
开关损耗仿真案例（半桥）
半桥电路死区时间影响、上下管损耗不对称分析。
半桥死区
24
软开关技术基础
ZVS与ZCS原理、谐振电路、软开关对损耗的改善。
ZVSZCS
25
LLC谐振变换器损耗
LLC工作原理、原边开关管ZVS实现、副边整流管损耗。
LLC谐振
26
损耗优化方法
栅极电阻优化、死区时间优化、snubber电路设计。
优化snubber
27
多电平变换器损耗
三电平NPC拓扑、飞跨电容型、损耗分布特点。
多电平NPC
28
损耗仿真自动化
脚本化仿真（Python+LTspice）、参数扫描、数据后处理。
自动化Python
29
损耗模型验证
仿真与实验对比、误差分析、模型修正方法。
验证误差
30
综合设计项目
设计一个500W Buck变换器、损耗建模与仿真、热设计验证。
项目500W