第 1 章
GaN HEMT 基础与死区时间概述
GaN HEMT 器件特性 · 半桥拓扑死区时间定义 · 效率与可靠性影响
器件基础拓扑
第 2 章
死区时间不当导致的典型故障
直通短路 · 体二极管导通损耗 · 反向恢复 · Coss 损耗
故障分析损耗
第 3 章
传统死区时间控制方法
固定死区 · 自适应电压/电流检测 · 优缺点对比
控制策略经典
第 4 章
GaN HEMT 驱动芯片死区时间控制
LMG5200 · TI LMG3410 · GaN Systems · EPC 方案
驱动IC集成
第 5 章
基于数字控制器的死区时间优化
DSP/FPGA 微调 · LUT · 在线优化 · 频率协同
数字控制算法
第 6 章
死区时间测量技术
高精度测量 · 示波器 · TDC · 误差校准
测量TDC
第 7 章
死区时间对 EMI 的影响
开关节点振铃 · dv/dt 控制 · EMI 滤波器 · 实验案例
EMI振铃
第 8 章
GaN HEMT 栅极驱动优化
驱动电阻 · 寄生电感 · 摆率控制 · 米勒平台
栅极驱动优化
第 9 章
死区时间与轻载效率
轻载损耗 · 自适应调整 · Burst Mode · 实验数据
轻载效率
第 10 章
死区时间与重载效率
重载损耗 · 最小化策略 · ZVS · 实验对比
重载ZVS
第 11 章
死区时间与温度特性
阈值电压漂移 · 温度补偿 · 热仿真 · 可靠性
温度补偿
第 12 章
死区时间与器件老化
老化机制 · 漂移趋势 · 预测性维护 · 加速测试
老化预测
第 13 章
多电平变换器中的死区时间控制
飞跨电容 · 级联H桥 · MMC · 均压影响
多电平拓扑
第 14 章
死区时间与电流重构
相电流重构 · 采样影响 · 补偿算法 · 验证
电流重构补偿
第 15 章
死区时间与电压重构
直流母线/相电压重构 · 电压误差 · 补偿策略
电压重构误差
第 16 章
死区时间与无传感器控制
位置估计 · 反电动势检测 · 高频注入 · 实验
无传感器高频注入
第 17 章
死区时间与并联 GaN HEMT
均流挑战 · 死区影响 · 驱动延迟匹配 · 验证
并联均流
第 18 章
死区时间与 SiC MOSFET 对比
SiC 要求 · GaN vs SiC · 混合协调 · 选型建议
SiC对比
第 19 章
死区时间与高频化设计
MHz 频率 · 磁元件 · PCB 布局 · 实验案例
高频MHz
第 20 章
死区时间与软开关技术
ZVS/ZCS 条件 · 软开关范围 · LLC 优化
软开关LLC
第 21 章
死区时间与数字控制环路
控制延迟 · 环路带宽 · 补偿实现 · 验证
数字控制环路
第 22 章
死区时间与保护电路
过流/短路保护 · UVLO · 故障恢复
保护UVLO
第 23 章
死区时间与启动/关机时序
启动/关机控制 · 预充电 · 软启动
时序启动
第 24 章
死区时间与同步整流
同步整流管要求 · 效率影响 · 自适应应用
同步整流SR
第 25 章
死区时间与 PFC 变换器
Boost PFC · 图腾柱 PFC · 无桥 PFC · 实验
PFC图腾柱
第 26 章
死区时间与 DC-DC 变换器
Buck/Boost/Buck-Boost · 隔离型 DC-DC
DC-DC隔离
第 27 章
死区时间与逆变器
单相/三相逆变器 · THD 影响 · 补偿策略
逆变器THD
第 28 章
死区时间与电机驱动
电机驱动问题 · 电流波形 · 转矩脉动 · 验证
电机转矩
第 29 章
死区时间与无线充电
系统要求 · 传输效率 · 自适应 · 实验数据
无线充电效率
第 30 章
死区时间未来趋势与总结
技术总结 · AI/机器学习 · 标准化 · 研究方向
趋势AI