第1章
沟槽栅极器件概述
从平面栅到沟槽栅的演进 · 沟槽栅极结构优势 · 电荷耦合效应简介
演进结构优势
第2章
电荷耦合效应物理基础
PN结耗尽层理论 · MOS电容结构 · 沟槽底部电场集中现象
耗尽层MOS
第3章
沟槽底部电场分布
二维电场模拟基础 · 峰值电场形成机制 · 电场耦合对击穿电压的影响
电场模拟击穿
第4章
电荷耦合原理
电荷共享概念 · 耗尽区扩展与耦合 · 电荷耦合对耐压提升的贡献
电荷共享耐压
第5章
关键工艺参数影响
沟槽深度 · 沟槽宽度 · 氧化层厚度对电荷耦合的影响
深度宽度氧化层
第6章
掺杂浓度与电荷耦合
P柱/N柱掺杂浓度设计 · 电荷平衡条件 · 工艺偏差容忍度
掺杂平衡
第7章
沟槽间距优化
间距对横向耗尽的影响 · 间距与导通电阻的折中 · 优化设计方法
间距Ron
第8章
电荷耦合效应仿真方法
TCAD仿真工具介绍 · 物理模型选择 · 仿真结构搭建
TCAD仿真
第9章
静态特性分析
击穿电压仿真 · 导通电阻提取 · 阈值电压分析
BVRonVth
第10章
动态特性分析
栅极电荷Qg · 米勒平台 · 开关损耗评估
Qg米勒开关
第11章
电容特性分析
输入电容Ciss · 输出电容Coss · 反向传输电容Crss
CissCossCrss
第12章
电荷耦合与Ron,sp关系
比导通电阻定义 · 电荷耦合对Ron,sp的改善 · 理论极限分析
Ron,sp极限
第13章
沟槽底部屏蔽效应
屏蔽层设计 · 屏蔽效果仿真 · 屏蔽对电荷耦合的影响
屏蔽仿真
第14章
多沟槽耦合效应
相邻沟槽间的相互作用 · 沟槽阵列设计 · 耦合增强技术
阵列耦合增强
第15章
温度特性分析
温度对载流子迁移率的影响 · 温度对击穿电压的影响 · 高温下电荷耦合退化
迁移率高温
第16章
工艺偏差分析
关键尺寸偏差 · 掺杂浓度偏差 · 氧化层厚度偏差对电荷耦合的影响
偏差CD
第17章
电荷耦合与可靠性
热载流子注入效应 · 栅氧化层可靠性 · 时间相关击穿
HCITDDB
第18章
沟槽底部形状优化
圆角沟槽 · 梯形沟槽 · 底部氧化层厚度分布优化
圆角梯形
第19章
超结与电荷耦合对比
超结原理 · 电荷耦合与超结的异同 · 混合结构设计
超结混合
第20章
电荷耦合在SiC器件中的应用
SiC材料特性 · SiC沟槽器件设计 · SiC电荷耦合挑战
SiC宽禁带
第21章
电荷耦合在GaN器件中的应用
GaN HEMT结构 · GaN沟槽设计 · GaN电荷耦合特性
GaNHEMT
第22章
电荷耦合效应测试方法
C-V特性测试 · 击穿电压测试 · 电荷泵测试
C-V电荷泵
第23章
电荷耦合模型建立
解析模型推导 · SPICE模型参数提取 · 模型验证
SPICE解析
第24章
电荷耦合与EMI特性
开关振荡抑制 · dv/dt控制 · di/dt控制
EMIdv/dt
第25章
电荷耦合与雪崩能力
雪崩击穿机理 · 雪崩能量吸收 · 电荷耦合对雪崩的增强
雪崩EAS
第26章
电荷耦合与短路能力
短路耐受时间 · 短路失效机制 · 电荷耦合对短路的改善
短路耐受
第27章
电荷耦合与体二极管特性
体二极管反向恢复 · 体二极管正向压降 · 电荷耦合对体二极管的优化
反向恢复VF
第28章
电荷耦合在IGBT中的应用
IGBT沟槽设计 · 电荷耦合对IGBT导通压降的改善 · IGBT关断损耗优化
IGBTVce(sat)
第29章
电荷耦合在MOSFET中的应用
SJ-MOSFET · 电荷耦合MOSFET · 新型结构设计
SJ新型
第30章
电荷耦合技术前沿
三维沟槽结构 · 超结电荷耦合混合结构 · AI辅助电荷耦合优化设计
3DAI优化