01
FinFET技术概述
从平面MOSFET到FinFET的演进 · 核心优势 · 应用领域
演进优势应用
02
鳍片结构基础
高度/宽度/间距定义 · 形状与纵横比 · 栅极耦合机制
尺寸纵横比耦合
03
工艺步骤概览
SOI vs 体硅 · 光刻刻蚀 · 自对准双图案(SADP)
SOISADP光刻
04
鳍片刻蚀工艺
干法刻蚀原理 · 轮廓控制 · 损伤与修复
刻蚀轮廓修复
05
栅极堆叠与功函数
高k介质 · 金属栅极 · 功函数调节与Vth控制
高k功函数Vth
06
源漏工程
外延生长 · 应力工程(SiGe) · 接触电阻优化
外延应力接触
07
器件物理基础
短沟道效应(SCE) · DIBL · 亚阈值摆幅(SS)
SCEDIBLSS
08
电学特性参数
阈值电压 · Ion/Ioff · 跨导(gm)
VthIongm
09
寄生效应分析
寄生电容/电阻 · 寄生双极晶体管效应
寄生电容双极
10
TCAD仿真入门
Sentaurus/TCAD工具链 · 仿真流程
Sentaurus流程网格
11
2D vs 3D仿真
2D近似局限 · 3D必要性 · 精度与资源权衡
2D3D精度
12
几何结构建模
鳍片尺寸 · 栅极长度 · 源漏/侧墙
尺寸栅极侧墙
13
掺杂分布定义
高斯/均匀掺杂 · 陡峭轮廓 · 激活退火
掺杂退火轮廓
14
物理模型选择
迁移率模型 · 产生复合(SRH/Auger)
迁移率SRHAuger
15
量子效应模拟
量子限制 · 密度梯度 · 量子势阱载流子
量子密度梯度势阱
16
I-V特性仿真
转移特性(Id-Vg) · 输出特性(Id-Vd) · 数据提取
Id-VgId-Vd提取
17
C-V特性仿真
电容-电压曲线 · 栅电容拆分 · 寄生提取
C-V栅电容寄生
18
交流与小信号分析
截止频率fT · 最大振荡频率fmax · S参数
fTfmaxS参数
19
工艺偏差分析
鳍片高度/宽度波动 · 栅长波动 · 蒙特卡洛
波动蒙特卡洛偏差
20
温度效应仿真
自热效应 · 迁移率与阈值 · 热仿真设置
自热迁移率热仿真
21
可靠性仿真初探
热载流子(HCI) · BTI · 击穿机制
HCIBTI击穿
22
电路级仿真
紧凑模型BSIM-CMG · 参数提取 · SPICE网表
BSIM-CMGSPICE提取
23
版图设计基础
FinFET标准单元 · 鳍片共享 · DRC
版图标准单元DRC
24
先进结构
纳米片/纳米线 · 叉片FET · 互补FET(CFET)
纳米片ForksheetCFET
25
低功耗设计
多阈值电压 · 背偏置 · 近阈值电路
多Vth背偏置近阈值
26
高频设计
栅极电阻优化 · 接触电阻 · 布局与fmax
高频电阻fmax
27
存储器应用
FinFET SRAM · 读/写稳定性 · 6T与8T
SRAM6T8T
28
仿真数据后处理
可视化 · 参数提取脚本 · 批处理仿真
可视化脚本批处理
29
案例实战：7nm FinFET反相器
从结构到电学特性全流程设计与仿真
7nm反相器全流程
30
未来趋势
GAA FET · 2D材料 · 超晶格 · 三维异构集成
GAA2D异构