01
LDMOS器件基础
LDMOS结构、工作原理、关键参数（击穿电压、比导通电阻）
器件物理基础
02
RESURF技术原理
RESURF概念、电荷平衡原理、降低表面电场机制
核心概念电荷平衡
03
单RESURF结构
P-top层设计、掺杂浓度优化、击穿电压与导通电阻折中
P-top折中设计
04
双RESURF结构
N-buffer层引入、双电荷平衡、比单RESURF的优势
N-buffer双电荷
05
TCAD仿真工具介绍
Sentaurus/Silvaco工具链、仿真流程、关键物理模型
SentaurusSilvaco
06
仿真结构搭建
器件几何定义、掺杂分布设置、网格划分技巧
网格掺杂
07
电学特性仿真
I-V特性、击穿特性、转移特性提取
I-V击穿
08
RESURF效果评估
表面电场分布、碰撞电离率、击穿点定位
电场电离率
09
漂移区长度优化
长度对击穿电压和导通电阻的影响、折中设计
长度Ron
10
漂移区掺杂浓度优化
浓度对RESURF效果的影响、最佳掺杂窗口
掺杂窗口优化
11
P-top层参数优化
P-top掺杂浓度、厚度、位置对器件性能的影响
P-top厚度
12
N-buffer层参数优化
N-buffer掺杂浓度、厚度对双RESURF效果的影响
N-buffer双RESURF
13
场板技术
场板结构、场板长度优化、场板与RESURF协同作用
场板协同
14
沟槽技术
沟槽深度、宽度对RESURF效果的影响、沟槽LDMOS
沟槽深度
15
SOI LDMOS
SOI结构优势、埋氧层厚度优化、自热效应
SOI自热
16
阶梯掺杂漂移区
阶梯掺杂分布设计、多区RESURF、性能提升
阶梯掺杂多区
17
变掺杂漂移区
线性/高斯变掺杂、理想RESURF条件逼近
变掺杂高斯
18
RESURF与Kink效应
Kink效应机理、RESURF对Kink的抑制
Kink抑制
19
温度特性仿真
高温下RESURF效果退化、温度系数分析
温度退化
20
工艺偏差影响
掺杂浓度波动、光刻对准偏差对RESURF的影响
工艺偏差对准
21
可靠性仿真
热载流子注入、击穿退化、RESURF结构可靠性
热载流子退化
22
版图设计
RESURF结构版图实现、关键尺寸标注、设计规则检查
版图DRC
23
模型参数提取
BSIM模型参数提取、RESURF器件建模
BSIM建模
24
电路应用仿真
功率开关、DC-DC转换器中的LDMOS应用
DC-DC功率开关
25
新型RESURF结构
超结LDMOS、浮空场板、多区RESURF
超结浮空场板
26
GaN RESURF技术
GaN HEMT中的RESURF、异质结电荷平衡
GaNHEMT
27
SiC RESURF技术
SiC LDMOS、RESURF设计挑战、高温应用
SiC高温
28
机器学习辅助优化
神经网络预测RESURF性能、参数自动优化
机器学习神经网络
29
实验验证
测试结构设计、电学测量、仿真与实验对比
测试对比
30
课程总结与展望
RESURF技术发展趋势、未来研究方向
趋势展望