01
栅氧化层击穿物理机制
Fowler-Nordheim隧穿、直接隧穿、SILC及击穿路径形成过程
物理机制隧穿
02
TDDB理论基础
寿命分布、Weibull分布及其在氧化层可靠性评估中的应用
Weibull可靠性
03
恒定电压应力(CVS)测试方法
CVS原理、测试结构、流程及寿命参数提取
CVS测试
04
恒定电流应力(CCS)测试方法
CCS原理、与CVS区别、注意事项及数据分析
CCS电流应力
05
斜坡电压应力(RVS)测试方法
加速机制、测试流程、击穿电压确定及与CVS关联
RVS斜坡
06
TDDB测试结构设计
电容结构、面积选择、边缘效应、隔离及阵列设计
测试结构版图
07
Weibull分布与寿命建模
形状参数β、尺度参数η及电压/温度模型
Weibull建模
08
E模型与1/E模型
经典寿命预测模型、假设、参数提取及局限性
E模型1/E
09
幂律模型与V-accel模型
先进工艺节点下的幂律模型和电压加速模型
幂律V-accel
10
温度加速因子与Arrhenius模型
温度对TDDB寿命的影响、Arrhenius模型及激活能提取
Arrhenius激活能
11
面积缩放与外围效应
Poisson面积缩放法则、外围/边缘效应
面积缩放边缘
12
软击穿与硬击穿
SBD与HBD物理机制、电学特征及电路影响
SBDHBD
13
击穿检测电路与判据
电流阈值、电压降、电阻变化检测法
检测判据
14
TDDB测试自动化与数据分析
GPIB控制、数据采集、实时监测及自动化流程
自动化数据分析
15
SPICE建模与电路级仿真
电阻模型、电流源模型、时变击穿模型
SPICE仿真
16
栅氧化层击穿对数字电路的影响
CMOS反相器、SRAM单元、逻辑路径延迟
数字电路SRAM
17
栅氧化层击穿对模拟/RF电路的影响
运放、LNA、VCO性能退化机制
模拟RF
18
SRAM中的TDDB可靠性
SRAM单元击穿敏感性、读/写风险及冗余修复
SRAM冗余
19
IO电路与ESD中的氧化层可靠性
IO特殊应力、ESD损伤及防护设计
IOESD
20
先进工艺节点下的TDDB挑战
FinFET、GAA、高k介质与金属栅影响
FinFETGAA
21
高k介质击穿特性
HfO₂击穿机制、与SiO₂差异及界面层影响
高kHfO₂
22
TDDB寿命外推与产品级评估
面积缩放、使用条件缩放、安全裕量设定
外推产品评估
23
可靠性筛选与晶圆级测试
晶圆级TDDB、快速筛选、量产监控
筛选晶圆级
24
TDDB与NBTI/PBTI的相互作用
栅氧化层击穿与BTI耦合、协同退化
NBTIPBTI
25
热载流子注入(HCI)与TDDB协同效应
HCI加速氧化层损伤、联合评估方法
HCI协同
26
辐射环境下的栅氧化层可靠性
电离辐射、总剂量效应(TID)与TDDB相互作用
辐射TID
27
TDDB统计分析与蒙特卡洛仿真
蒙特卡洛方法、随机击穿事件模拟
蒙特卡洛统计
28
机器学习在TDDB预测中的应用
随机森林、神经网络预测寿命与击穿概率
机器学习预测
29
TDDB可靠性设计规则
最大电压、面积、温度限制及冗余设计
设计规则可靠性
30
案例研究：从测试到产品可靠性签核
TDDB测试设计、数据采集、寿命建模到签核全流程
案例签核