第1章
深亚微米时代背景
摩尔定律的演进 · 从微米到深亚微米 · 短沟道/高场/量子效应挑战
背景挑战
第2章
MOSFET基础回顾
经典结构 · 工作原理 · 阈值电压 · I-V特性 · 衬偏效应
基础核心
第3章
短沟道效应 (SCE) 详解
阈值滚降 · DIBL · 沟道长度调制 · 次阈值摆幅退化
SCEDIBL
第4章
高场效应与载流子输运
速度饱和 · 碰撞电离 · 热载流子(HCI) · 栅氧化层击穿
高场HCI
第5章
量子力学效应入门
量子化能级 · 隧穿 · 栅极漏电 · 多栅量子限制
量子隧穿
第6章
深亚微米器件结构演进
LDD · 倒掺杂沟道 · 晕环注入 · 应变硅技术
LDD应变硅
第7章
SOI技术
SOI衬底 · PD-SOI · FD-SOI · 浮体/自热效应
SOIFD-SOI
第8章
FinFET结构基础
诞生背景 · 结构特点 · 工艺步骤 · 与平面器件对比
FinFET3D
第9章
FinFET电学特性
双栅/三栅控制 · 阈值调节 · 寄生电容/电阻 · 鳍片影响
电学寄生
第10章
纳米线/纳米片FET
GAA概念 · 水平/垂直纳米线 · 堆叠纳米片
GAA纳米片
第11章
栅极工程
高k介质(HfO₂/ZrO₂) · 金属栅极 · 栅极堆叠 · EOT
高k金属栅
第12章
源漏工程
源漏扩展 · 肖特基源漏 · 提升源漏 · 接触电阻优化
源漏接触
第13章
沟道工程
应变沟道(SiGe/Si:C) · 高迁移率材料(Ge/III-V) · 掺杂工程
应变高迁移率
第14章
隔离技术
浅槽隔离(STI) · 深槽隔离(DTI) · 空气桥 · 隔离影响
STI隔离
第15章
互连与接触
铜互连/低k · 接触孔/通孔 · 硅化物 · RC延迟优化
互连RC
第16章
器件仿真基础
TCAD概述 · Sentaurus Process/Device · 仿真流程
TCADSentaurus
第17章
关键工艺模块仿真
栅极氧化 · 离子注入/退火 · 源漏扩散 · 接触形成
工艺注入
第18章
电学特性仿真
I-V/C-V提取 · 阈值电压 · 跨导/输出电导
电学提取
第19章
可靠性仿真
HCI仿真 · NBTI · TDDB · 介质击穿
可靠性NBTI
第20章
紧凑模型基础
BSIM4 · BSIM-CMG(FinFET) · PSP · 参数提取
BSIM模型
第21章
参数提取与优化
DC/AC提取 · 温度效应 · 模型与硅数据拟合
提取拟合
第22章
版图设计基础
版图层次 · DRC · LVS · 寄生参数提取(PEX)
版图DRC
第23章
深亚微米版图技巧
匹配设计 · 天线效应 · 闩锁预防 · ESD保护
版图ESD
第24章
低功耗器件设计
多阈值 · 动态电压 · 电源门控 · 体偏置
低功耗MTV
第25章
射频(RF)器件设计
RF MOSFET · fT/fmax · 噪声模型 · 功率增益
RFfT
第26章
高压器件设计
LDMOS · DMOS · 场板技术 · RESURF原理
高压LDMOS
第27章
存储器件基础
DRAM/SRAM单元 · 闪存 · RRAM/MRAM
存储闪存
第28章
传感器与MEMS集成
CMOS兼容传感器 · MEMS · SoC集成挑战
MEMSSoC
第29章
先进工艺节点展望
3nm及以下 · CFET · 2D材料(石墨烯/MoS₂) · 量子计算
先进CFET
第30章
课程总结与项目实战
全流程回顾 · 7nm FinFET反相器设计 · 报告撰写
实战项目