化合物半导体：从材料到器件的完整路径

📚 共计 30 章节

半导体材料基础

能带理论、导体/绝缘体/半导体区别、本征半导体与杂质半导体

能带本征杂质

化合物半导体概述

III-V族、II-VI族材料体系、与硅基半导体的对比

III-VII-VI对比

关键材料特性

GaAs、InP、GaN、SiC的晶格结构、禁带宽度、迁移率

晶体生长技术

LEC法、VGF法、HVPE法生长单晶

外延生长技术

MBE分子束外延、MOCVD金属有机化学气相沉积

切割、研磨、抛光、清洗工艺

材料表征技术

XRD、PL、Hall测试、AFM、SEM

接触电阻理论、金属化工艺、退火条件优化

接触电阻退火

肖特基接触

势垒高度、理想因子、I-V特性分析

势垒理想因子

异质结物理

能带偏移、二维电子气(2DEG)、极化效应

HEMT器件原理

AlGaN/GaN HEMT结构、沟道形成、电流输运

HEMT器件工艺

台面隔离、栅极工程、钝化层、场板结构

栅极钝化场板

HEMT器件特性

转移特性、输出特性、击穿电压、频率特性

电流崩塌、栅极漏电、热管理、寿命评估

可靠性热管理

HBT器件原理

GaAs HBT结构、能带工程、电流增益

HBT电流增益

HBT器件工艺

自对准工艺、发射极/基极/集电极形成

HBT器件特性

Gummel图、fT/fmax、功率密度

激光器(LD)原理

量子阱结构、受激辐射、阈值电流

量子阱阈值

激光器工艺

波导刻蚀、解理腔面、镀膜、封装

激光器特性

L-I-V曲线、光谱、调制带宽、可靠性

发光二极管(LED)

多量子阱、光提取效率、波长调控

PIN结构、雪崩增益、响应度、暗电流

太阳能电池

多结叠层、聚光系统、转换效率

SiC SBD、SiC MOSFET、GaN功率HEMT

GaAs pHEMT、GaN射频HEMT、线性度与效率

TCAD工具、物理模型、参数提取

光刻、刻蚀、沉积、平坦化全流程

光刻刻蚀沉积

测试与封装

在片测试、热阻测试、可靠性测试、封装形式

EMMI、OBIRCH、FIB、TEM失效定位技术

产业现状与趋势

6英寸/8英寸产线、异构集成、AI赋能制造

产线异构集成AI