01
外延技术概述
外延生长的定义与意义 · 外延层在器件中的作用 · 位错密度对器件性能的影响
基础概念
02
晶体缺陷基础
点缺陷 · 线缺陷（位错）· 面缺陷 · 体缺陷的分类与特征
缺陷分类
03
位错产生机制
热应力引起的位错 · 晶格失配位错 · 生长过程中引入的位错
机制应力
04
衬底选择与预处理
衬底晶向选择 · 表面处理（CMP、湿法清洗）· 衬底缺陷密度评估
衬底清洗
05
缓冲层技术
低温缓冲层原理 · 组分渐变缓冲层 · 超晶格缓冲层设计
缓冲层设计
06
生长温度控制
温度对表面迁移率的影响 · 最佳生长温度窗口 · 温度均匀性控制
温度均匀性
07
生长速率优化
生长速率与位错密度的关系 · V/III比调节 · 生长速率均匀性
速率V/III
08
反应源气体纯度
气体纯度的标准 · 杂质对晶体质量的影响 · 纯化系统设计
纯度杂质
09
反应室设计
反应室气流动力学 · 热场分布设计 · 减少寄生反应的方法
反应室热场
10
原位监测技术
RHEED原理与应用 · 反射率监测 · 温度原位测量
原位监测
11
外延层应力管理
热应力计算 · 应力补偿层设计 · 应力释放技术
应力补偿
12
选择性外延生长
掩膜设计 · 侧向生长机制 · 降低位错密度的原理
选择性掩膜
13
横向外延过生长（ELO）
ELO原理 · ELO工艺参数 · ELO位错过滤效果
ELO横向
14
悬空外延技术
悬空结构设计 · 生长条件优化 · 位错弯曲与湮灭
悬空湮灭
15
纳米柱/纳米线外延
纳米柱生长机制 · 位错在纳米结构中的行为 · 尺寸效应
纳米尺寸
16
图案化衬底外延
PSS技术原理 · 图案设计优化 · 位错阻挡机制
PSS图案
17
多次外延与热循环
多次外延层堆叠 · 热循环退火 · 位错密度逐层降低
热循环堆叠
18
退火后处理
快速热退火（RTA）· 高温退火 · 退火气氛选择
退火RTA
19
CMP在外延中的应用
CMP去除表面缺陷层 · CMP与外延循环 · 平坦化对后续生长的影响
CMP平坦化
20
外延层表征技术
XRD（摇摆曲线、倒易空间图）· PL谱 · CL谱 · TEM · AFM
表征XRD
21
位错密度定量分析
蚀坑法（EPD）· TEM统计法 · XRD位错密度估算
定量EPD
22
异质外延中的晶格失配管理
失配位错网络 · 虚拟衬底技术 · 渐变缓冲层设计
失配虚拟衬底
23
极性控制与非极性/半极性外延
极性对位错的影响 · 非极性面生长 · 半极性面优势
极性半极性
24
掺杂对晶体质量的影响
掺杂剂类型与浓度 · 掺杂诱生缺陷 · 共掺杂技术
掺杂缺陷
25
表面重构与台阶流生长
表面重构类型 · 台阶流生长模式 · 台阶聚集抑制
表面台阶流
26
外延层厚度均匀性控制
旋转速度优化 · 气流分布设计 · 厚度监测反馈
均匀性厚度
27
缺陷工程综述
位错过滤结构设计 · 位错相互作用与湮灭 · 缺陷密度极限
缺陷工程过滤
28
MOCVD设备维护与工艺稳定性
反应室清洁周期 · 源瓶更换策略 · 工艺重复性保证
MOCVD维护
29
HVPE技术在高品质厚膜中的应用
HVPE生长速率优势 · HVPE位错控制 · HVPE与MOCVD结合
HVPE厚膜
30
未来趋势与挑战
同质外延衬底进展 · 机器学习在工艺优化中的应用 · 新型位错抑制方法
趋势机器学习