01
MOCVD技术概述
原理、发展历程、在LED/功率器件中的应用
基础历史
02
反应室设计与气流场
反应室类型、气流模式、衬底托盘设计对均匀性的影响
硬件均匀性
03
温度场控制
加热方式、温度均匀性、热电偶校准、温度斜坡策略
热管理校准
04
MO源供给系统
鼓泡器原理、载气流量控制、源瓶温度与压力、管路死体积
源瓶管路
05
V/III比调优
V/III比定义、对晶体质量的影响、优化窗口、典型值参考
配比窗口
06
生长速率控制
生长速率与MO源流量关系、速率对缺陷密度的影响、台阶流生长模式
速率缺陷
07
缓冲层工艺
低温GaN缓冲层、AlN缓冲层、缓冲层厚度与退火条件
成核退火
08
掺杂控制
n型掺杂(Si)、p型掺杂(Mg)、掺杂效率与补偿效应、激活退火
电学激活
09
异质结界面工程
InGaN/GaN界面、AlGaN/GaN界面、界面粗糙度与二维电子气
界面2DEG
10
量子阱与多量子阱
阱宽与垒宽设计、In组分控制、发光波长调谐
MQW发光
11
应力管理
晶格失配、热失配、应力补偿层、裂纹抑制
应力裂纹
12
缺陷控制
位错密度、点缺陷、坑洞缺陷、缺陷与漏电关系
位错漏电
13
在位监测技术
反射率监测、曲率监测、温度监测、RHEED
监测原位
14
反应室维护与清洁
石英件更换、壁沉积物清除、泄漏检测、颗粒控制
维护清洁
15
工艺重复性
批次间一致性、源瓶更换策略、工艺窗口漂移补偿
稳定性漂移
16
GaN-on-Si工艺
Si衬底预处理、缓冲层设计、裂纹控制、翘曲管理
Si基翘曲
17
AlGaN/GaN HEMT外延
沟道层设计、势垒层厚度、盖帽层、2DEG浓度
HEMT功率
18
Micro-LED外延
小尺寸效应、侧壁缺陷、全彩化方案、量子点集成
MicroLED全彩
19
VCSEL外延
DBR反射镜、有源区设计、氧化限制层、掺杂分布
VCSELDBR
20
激光器外延
波导结构、限制层、量子阱数目、腔面镀膜
LD波导
21
多晶与非晶抑制
生长温度窗口、V/III比窗口、表面迁移增强
多晶窗口
22
合金组分控制
In组分、Al组分、组分均匀性、组分梯度层
组分梯度
23
载气选择
H2与N2对比、载气对In并入效率影响、载气对碳杂质影响
载气碳杂质
24
碳杂质控制
碳源来源、碳对半绝缘特性的影响、生长条件优化
碳半绝缘
25
氧杂质控制
氧源来源、氧对发光效率的影响、高纯源与管路净化
氧发光
26
氢杂质与钝化
氢对p型掺杂的钝化、退火脱氢、氢对器件可靠性的影响
氢钝化
27
工艺参数敏感性分析
温度敏感性、流量敏感性、压力敏感性、DOE方法
DOE敏感性
28
机器学习辅助调优
数据采集、特征工程、模型建立、工艺参数推荐
AI调优
29
故障诊断与排除
常见故障模式、根因分析、应急处理流程、案例库
故障根因
30
未来趋势
大尺寸衬底、选区外延、二维材料集成、AI闭环控制
前沿2D