01
衬底材料基础
GaAs、InP、GaN、SiC衬底材料的晶体结构、电学特性与热学特性对比分析。
晶体结构电学/热学
02
衬底清洗技术
有机溶剂清洗、酸洗、去离子水冲洗的标准流程与颗粒控制。
湿法清洗颗粒控制
03
表面氧化层去除
HCl、HF、NH₄OH等化学试剂对表面氧化层的去除机理与工艺窗口。
化学腐蚀工艺窗口
04
表面平坦化处理
CMP化学机械抛光技术在化合物半导体衬底中的应用与参数优化。
CMP平坦度
05
表面损伤层评估
PL光致发光、XRD高分辨X射线衍射、AFM原子力显微镜对表面质量的表征。
表征PL/XRD/AFM
06
外延前原位热处理
高温退火、氢等离子体处理对表面重构与界面质量的影响。
退火等离子体
07
MOCVD外延匹配
反应室压力、温度、V/III比对GaAs、InP基材料生长质量的影响。
MOCVDV/III比
08
MBE外延匹配
生长速率、衬底温度、束流等效压力对界面陡峭度的控制。
MBE界面陡峭
09
晶格失配与应变管理
渐变缓冲层、超晶格插入层在SiC/GaN异质外延中的应用。
缓冲层超晶格
10
热失配与翘曲控制
多步退火、热循环缓冲层技术对降低热应力的效果。
热应力翘曲
11
衬底取向与斜切角
不同晶向(100)、(111)及斜切角对外延层表面形貌的影响。
晶向斜切角
12
图形化衬底技术
PSS图形化蓝宝石衬底在GaN-LED中的光提取效率提升原理。
PSS光提取
13
掩膜选择生长
SiO₂、SiNₓ掩膜在选区外延中的选择性控制与侧向生长机制。
掩膜选区外延
14
同质外延与异质外延
GaAs-on-GaAs与GaN-on-Si的界面缺陷对比与优化策略。
同质/异质缺陷
15
缓冲层工程
低温缓冲层、高温缓冲层、组分渐变缓冲层的设计原则与实例。
缓冲层渐变
16
界面粗糙度控制
生长中断、脉冲供给、表面活性剂对二维生长模式的促进作用。
粗糙度2D生长
17
掺杂均匀性控制
Si、Mg、Be掺杂剂的源温控制与载气流量对掺杂分布的影响。
掺杂均匀性
18
组分均匀性控制
InGaAs、AlGaAs中In、Al组分的空间均匀性与源供给关系。
组分均匀性
19
厚度均匀性控制
旋转速度、气流场模拟对MOCVD反应室中厚度分布的影响。
厚度MOCVD
20
缺陷密度降低
ELOG横向外延过生长、Pendeo外延在GaN位错密度降低中的应用。
ELOG位错
21
原位监测技术
RHEED反射高能电子衍射、光学反射率在MBE/MOCVD中的实时监控。
RHEED原位
22
表面重构与RHEED振荡
GaAs(001)表面重构相图与生长速率标定方法。
重构振荡
23
外延层剥离技术
激光剥离、化学剥离在GaN-on-Sapphire器件制备中的应用。
激光剥离化学剥离
24
衬底回收与再利用
GaAs、InP衬底的湿法剥离与表面再生技术。
回收再生
25
大尺寸衬底挑战
6英寸、8英寸SiC衬底的翘曲、微管密度与均匀性控制。
大尺寸SiC
26
异质集成技术
Smart Cut智能剥离、晶圆键合在InP-on-Si、GaN-on-Si中的应用。
智能剥离键合
27
表面钝化与界面态控制
SiNₓ、Al₂O₃钝化层对HEMT器件电流崩塌的抑制。
钝化HEMT
28
外延缺陷与器件良率
位错、层错、微管对激光器、HEMT、LED性能的影响。
缺陷良率
29
工艺重复性与统计过程控制
SPC控制图、Cp/Cpk在量产外延中的质量监控。
SPCCp/Cpk
30
未来趋势
二维材料衬底、柔性衬底、量子点外延与单光子源器件展望。
二维材料量子点