01
等离子体刻蚀技术概述
等离子体基础 · 刻蚀原理 · RIE/ICP/CCP分类
基础原理
02
刻蚀损伤机理 (上)
物理损伤：离子轰击、晶格损伤 · 化学损伤：自由基、聚合物
物理化学
03
刻蚀损伤机理 (下)
电荷损伤：天线效应、充电 · 辐射损伤：紫外、X射线
电荷辐射
04
损伤表征技术 (上)
SEM · TEM · AFM 形貌分析
形貌显微
05
损伤表征技术 (下)
XPS · SIMS 成分分析 · CV/IV电学测试
成分电学
06
损伤对器件性能的影响
MOSFET阈值漂移 · 漏电流 · 接触电阻变化
器件可靠性
07
损伤对互连与介质的影响
低k介质损伤 · 金属腐蚀 · 侧壁损伤
互连介质
08
工艺参数对损伤的影响
功率 · 气压 · 气体流量 · 温度 · 偏压
工艺参数
09
刻蚀气体化学与损伤
氟基 · 氯基 · 溴基化学的损伤特性
气体化学
10
天线效应与防护
天线比计算 · 规则检查 · 二极管保护结构
天线防护
11
充电损伤与防护
电子回旋共振 · 脉冲偏压 · 电荷中和
充电中和
12
侧壁损伤与修复
侧壁钝化层 · 后刻蚀处理 (湿法/干法)
侧壁修复
13
低k介质损伤防护
多孔低k保护 · 牺牲层 · 超低损伤工艺
低k防护
14
金属刻蚀损伤防护
抗腐蚀处理 · 聚合物去除 · 合金化
金属防腐
15
硅通孔 (TSV) 刻蚀损伤
Bosch工艺损伤 · 侧壁粗糙度控制
TSV3D
16
III-V族化合物刻蚀损伤
GaN · GaAs 刻蚀损伤与界面态
III-V化合物
17
二维材料刻蚀损伤
石墨烯 · MoS₂ 原子级损伤控制
二维原子级
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损伤的在线监测技术
OES · RGA · VI探针 · 终点检测
监测在线
19
损伤的模拟与建模
蒙特卡洛 · 分子动力学 · 连续介质模型
模拟建模
20
低损伤刻蚀设备设计
高密度等离子体源 · 远程源 · 脉冲等离子体
设备设计
21
原子层刻蚀 (ALE)
自限制反应 · 损伤最小化 · ALE工艺窗口
ALE原子层
22
中性束刻蚀
中性束产生 · 损伤对比 · 应用场景
中性束低损伤
23
刻蚀后清洗与损伤修复
湿法清洗 · 等离子体后处理 · 热退火
清洗修复
24
损伤与可靠性
TDDB · NBTI · HCI 与刻蚀损伤关联
可靠性退化
25
先进节点 (3nm以下) 刻蚀挑战
EUV光刻胶损伤 · 高选择比刻蚀
先进节点挑战
26
刻蚀损伤的测试结构设计
专用测试芯片 · 损伤敏感结构
测试结构
27
工艺集成中的损伤管理
光刻-刻蚀协同优化 · 硬掩模策略
集成管理
28
案例分析 (一)：FinFET
FinFET刻蚀损伤与优化
FinFET案例
29
案例分析 (二)：DRAM电容孔
DRAM电容孔刻蚀损伤控制
DRAM电容
30
未来趋势
原子级精度刻蚀 · AI辅助 · 绿色刻蚀
前沿趋势