01
刻蚀技术概述
干法刻蚀与湿法刻蚀的区别，为什么金属刻蚀需要侧壁钝化？
基础对比
02
侧壁钝化的基本原理
钝化层的形成机制，聚合物沉积与离子轰击的平衡。
机理核心
03
关键工艺参数
气体流量、射频功率、腔体压力、温度对钝化效果的影响。
参数调优
04
常见钝化气体
CHF₃、CF₄、C₄F₈、O₂、N₂ 的作用与选择。
气体选型
05
钝化失效模式
侧壁钻蚀、微沟槽、底切、聚合物残留等缺陷分析。
缺陷诊断
06
设备与硬件
ICP-RIE 与 CCP-RIE 在钝化工艺中的差异。
设备对比
07
工艺窗口优化
如何通过 DOE 找到最佳钝化条件。
DOE优化
08
金属材料差异
Al、Cu、TiN、W 等不同金属的钝化策略。
材料策略
09
光刻胶与硬掩模
掩模选择对侧壁钝化的影响。
掩模集成
10
终点检测
OES 与干涉法在钝化工艺中的应用。
检测OES
11
刻蚀后处理
去胶与湿法清洗对钝化层的影响。
清洗后处理
12
先进节点挑战
7nm 以下金属刻蚀的钝化难题。
先进挑战
13
原子层刻蚀（ALE）
ALE 中的自限制钝化机制。
ALE自限制
14
等离子体诊断
Langmuir 探针与质谱分析在钝化研究中的应用。
诊断探针
15
模拟与建模
蒙特卡洛与流体模型预测钝化层分布。
模拟建模
16
案例研究：Al 金属线刻蚀
Al 金属线刻蚀中的侧壁钝化优化。
案例Al
17
案例研究：Cu 大马士革刻蚀
Cu 大马士革刻蚀中的钝化控制。
案例Cu
18
案例研究：TiN 硬掩模刻蚀
TiN 硬掩模刻蚀中的钝化策略。
案例TiN
19
缺陷抑制
如何减少侧壁粗糙度与聚合物残留。
缺陷粗糙度
20
可靠性影响
侧壁钝化对电迁移与应力迁移的作用。
可靠性电迁移
21
工艺集成
钝化工艺与前后道工序的匹配。
集成流程
22
成本控制
气体消耗与工艺时间对成本的影响。
成本效率
23
安全与环保
全氟化合物（PFC）的减排与替代。
环保PFC
24
未来趋势
低温刻蚀、中性束刻蚀等新型钝化技术。
前沿低温
25
实验设计
如何搭建侧壁钝化评价测试结构。
实验测试
26
表征技术
SEM、TEM、XPS、AES 在钝化层分析中的应用。
表征分析
27
工艺转移
从研发到量产的钝化工艺放大。
量产转移
28
故障排查
常见刻蚀异常与钝化相关根因分析。
故障根因
29
标准与规范
半导体行业相关刻蚀工艺标准解读。
标准规范
30
综合实战
从零开始设计一个金属刻蚀侧壁钝化工艺。
实战综合