01
刻蚀工艺概论
刻蚀在半导体制造中的角色 · 干法/湿法区别 · 核心指标：速率、均匀性、选择比、形貌
基础概论
02
刻蚀设备基础
CCP/ICP/RIE机台 · 腔室电极ESC/Gas Showerhead · 真空与气体传输
设备硬件
03
刻蚀气体化学
CF4, CHF3, SF6, Cl2, HBr, O2, Ar · 协同效应 · 聚合物生成调控
化学气体
04
刻蚀终点检测
OES · 干涉法 · 质谱 · 量产中终点检测的重要性
检测OES
05
工艺转移概述
什么是工艺转移 · 新机台/产线/节点 · 挑战与风险
转移概念
06
工艺转移方法论
DoE基础 · OFAT vs Factorial · 响应面法RSM在刻蚀中的应用
DoERSM
07
匹配基础参数
压力/功率/气体/温度匹配 · Recipe基线匹配 · 成功判断标准
匹配参数
08
均匀性调控
刻蚀速率均匀性 · 气体/温度/等离子体密度 · 多区ESC与Gas Split
均匀性调控
09
形貌控制
Profile Angle, Bowing, Notching, Microtrenching · 侧壁钝化层调控
形貌刻蚀
10
选择比优化
光刻胶/硬掩膜/停止层选择比 · Over Etch权衡
选择比优化
11
缺陷控制
颗粒污染 · 刻蚀残留 · 等离子体损伤PID预防
缺陷Particle
12
量产导入流程
EVT, DVT, PVT, MP · 关键交付物 · Gate Review机制
量产流程
13
统计工艺控制 (SPC)
均值/极差/标准差 · X-bar/R图 · Cp/Cpk解读
SPC统计
14
设备匹配与机台差异
多机台匹配 · Matched Etch Rate · Golden Tool概念
匹配机台
15
刻蚀工艺窗口验证
Process Window定义 · Focus/Exposure Matrix · 窗口边界
窗口验证
16
可靠性验证
WAT与刻蚀关联 · TDDB, HCI, NBTI · In-line监控参数
可靠性WAT
17
高深宽比刻蚀 (HAR)
ARDE挑战 · Bosch工艺与低温刻蚀 · 3D NAND/TSV
HAR深宽比
18
低k介质刻蚀
低k材料特性 · 损伤机理与修复 · ULK刻蚀案例
低k介质
19
金属刻蚀
铝/铜刻蚀差异 · 金属腐蚀预防 · 大马士革工艺
金属大马士革
20
化合物半导体刻蚀
GaAs, GaN, SiC · III-V族化学 · 均匀性挑战
化合物GaN
21
刻蚀后处理 (Post-Etch)
光刻胶灰化 · 湿法/干法清洗 · 侧壁聚合物去除
后处理清洗
22
FDC 故障检测与分类
FDC架构与传感器 · RF/DC Bias/压力监控 · 模型建立
FDC监控
23
APC先进过程控制
R2R控制 · 基于模型APC · CD与Profile控制实战
APCR2R
24
刻蚀工艺ESD与安全
静电放电危害 · ESD防护 · 气体安全与操作规程
ESD安全
25
成本控制与产能提升
CoO分析 · Throughput优化 · Defectivity与Parts Life
成本产能
26
刻蚀工艺文档与标准化
Recipe管理 · PTR报告 · FMEA在刻蚀中的应用
文档FMEA
27
案例实战：工艺转移
逻辑芯片28nm→14nm · 存储2D→3D NAND · MEMS转移
案例转移
28
先进刻蚀技术趋势
原子层刻蚀ALE · 脉冲等离子体 · 超高选择性刻蚀
ALE趋势
29
刻蚀工艺工程师成长路径
技能树 · 跨部门协作 · 8D/5Why问题解决
成长技能
30
综合实战演练
模拟转移项目 · 转移计划 · DoE数据分析 · 最终报告
实战项目